128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
引脚说明
TSOP针脚号
38
符号
CLK
TYPE
输入
描述
时钟： CLK由系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号是
采样在CLK的上升沿。 CLK也递增内部
突发计数器和控制输出寄存器。
时钟使能： CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CLK
信号。停用时钟提供了预充电掉电
自刷新操作（所有银行闲置） ， ACTIVE POWER- DOWN （行
在任何银行活动）或时钟暂停操作（突发/访问
正在进行中） 。 CKE是同步的，除了在设备加电进入后
向下和自刷新模式，在CKE变成异步的，直到
后退出同一模式。输入缓存器，其中包括CLK，是
在断电期间和自刷新模式禁用，提供低
备用电源。 CKE可连接到高电平。
芯片选择： CS ＃启用（注册LOW ）和禁用（注册HIGH ）
命令解码器。所有的命令都是蒙面当CS ＃为寄存器
羊羔HIGH 。 CS ＃为与系统外部的银行选择
多家银行。 CS ＃被认为是命令代码的一部分。
输入命令： WE＃ ， CAS ＃和RAS ＃ （连同CS ＃ ）定义
所输入的命令。
输入/输出面膜： DQM是输入屏蔽信号的写访问和
输出使能信号，用于读访问。输入数据被屏蔽时
在写周期DQM采样为高电平。输出缓冲器
置于高阻态（双时钟延迟），当DQM采样为高电平
在读周期。在x4和x8 ， DQML （引脚15）是NC和
DQMH是DQM 。在X16 ， DQML对应DQ0 - DQ7和DQMH
对应于DQ8 - DQ15 。 DQML和DQMH被认为是相同的状态
当作为DQM引用。
银行地址输入： BA0和BA1定义到银行ACTIVE ，
READ，WRITE或预充电命令被应用。
地址输入： A0 - A11的ACTIVE命令（行过程中采样
地址A0 - A11）和读/写命令（列地址A0 -A9 ，
A11 [ X4的] ; A0 -A9 [ X8 ] A0 -A8 [ X16 ]与A10定义自动预充电），以
选择一个位置在各行的存储器阵列的。 A10
预充电命令期间进行采样，以确定是否所有银行都
被预充电（ A10 [高] ），或银行通过选择BA0 ， BA1 （ A10
[低] ） 。地址输入也是一个LOAD期间提供操作码
模式寄存器命令。
数据输入/输出：数据总线，用于x16的（ 4，7， 10，13 ，42， 45 ，48，和51
国家信息通报的X8 ; 2 ， 4 ， 7 ， 8 ， 10 ， 13 ， 42 ， 45 ， 47 ， 48 ， 51 ，和53的NC为X4 ） 。
数据输入/输出：数据总线X8 （ 2 ， 8 ， 47 ， 53顷NC中的4个） 。
数据输入/输出：数据总线为X4 。
无连接：这些引脚悬空。
地址输入（ A12）为256MB的和512MB的设备
DQ电源：隔离DQ电源芯片，以提高抗噪声能力。
DQ地面：在金属模具上改进的噪声隔离DQ地面
免疫力。
电源： + 3.3V ± 0.3V 。
地面上。
37
CKE
输入
19
CS ＃
输入
16, 17, 18
39
15, 39
WE＃ ， CAS＃ ，
RAS ＃
X4，X8 ： DQM
X16 ： DQML ，
DQMH
输入
输入
20, 21
23-26, 29-34, 22, 35
BA0 ， BA1
A0-A11
输入
输入
2, 4, 5, 7, 8, 10, 11, 13, 42,
44, 45, 47, 48, 50, 51, 53
2, 5, 8, 11, 44, 47, 50, 53
5, 11, 44, 50
40
36
3, 9, 43, 49
6, 12, 46, 52
1, 14, 27
28, 41, 54
DQ0-DQ15
DQ0-DQ7
DQ0-DQ3
NC
NC
V
DD
Q
V
SS
Q
V
DD
V
SS
X16 ： I / O
X8 ： I / O
X4 ： I / O
–
–
供应
供应
供应
供应
128MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
128MSDRAM_E.p65 - 英文内容;酒馆。 1/02
8
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