128MB ： X4，X8 ， X16
SDRAM
COMMAND INHIBIT
该命令禁止功能可以防止新的COM
从mands由SDRAM被执行，而不管
在CLK信号是否被使能。在SDRAM便可有效
tively取消。操作已经在进行中是不
的影响。
无操作（ NOP ）
在无操作（ NOP ）命令用于为按照
形成一个NOP到所选择的SDRAM （ CS ＃为低） 。
这可以防止不必要的命令被寄存器
在空闲或等待状态羊羔。操作已
进度不受影响。
加载模式寄存器
该模式寄存器通过输入A0 -A11加载。看
模式寄存器朝着寄存器定义部分。
加载模式寄存器命令只能是 -
起诉时，所有银行都闲着，随后execut-
能够命令不能才会发出
t
MRD满足。
活跃
激活命令用来打开（或激活）一
排在一个特定的银行进行后续访问。该
值的BA0 ， BA1输入选择银行，而
提供输入A0 -A11地址选择行。这
行仍有效（或打开）进行，直到访问
预充电命令发出的是银行。一
打开之前，必须发出预充电命令
不同的行中的同一家银行。
读
READ命令用于发起的突发读
访问活动行。在BA0 ， BA1输入的值
选择银行，并提供了对输入的地址A0〜
A9 ， A11 （4个） ， A0 -A9 （ X8 ）或A0 -A8 （ X16 ）选择起点
列位置。输入A10的值决定
自动预充电是否被使用。如果自动预充电
被选择时，被访问的行会在被预充电
读突发的结束;如果自动预充电是不是SE-
lected ，该行将继续开放供后续访问。
读出的数据显示在的DQ受上的逻辑电平
在DQM输入两个时钟更早。如果一个给定的DQM信号
注册高电平时，相应的DQ将
高阻两个时钟周期后，如果DQM信号注册
低， DQS的将提供有效的数据。
写
WRITE命令用于启动一个字符组写
访问活动行。在BA0 ， BA1输入的值
选择银行，并提供了对输入的地址A0〜
A9 ， A11 （4个） ， A0 -A9 （ X8 ）或A0 -A8 （ X16 ）选择起点
列位置。输入A10的值决定
自动预充电是否被使用。如果自动预充电
被选择时，被访问的行会在被预充电
在写突发的结束;如果自动预充电不
选择，该行将继续开放供后续AC-
正如事实。上出现的DQ输入数据被写入到
存储器阵列受DQM的输入逻辑电平AP-
pearing一致的数据。如果一个给定的DQM信号是
注册低电平，对应的数据将被写入到
内存;如果DQM信号被注册HIGH，它对应
对应的数据输入将被忽略，并且写操作
不执行该字节/列位置。
预充电
在预充电命令用于停用
开行特定的银行或开行的所有银行。
该行（ S）将可在接下来的行访问
在指定的时间（
t
RP ）预充电命令后，
发行。输入A10确定是否一个或所有银行
都被预充电，并且在所述情况下，只有一个存储体
就是被预充电，输入BA0 ， BA1选择银行。
否则BA0 ， BA1被视为“不关心”。一旦
银行已经被预充电，它是在空闲状态和绝
之前的任何读或写命令被激活
正在发行的是银行。
自动预充电
自动预充电是一种特性，它执行相同的
个别银行预充电功能如上所述，
而无需显式命令。这是accom-
通过A10启用自动预充电IN连接plished
路口有一个特定的读或写命令。一
与该寻址该行/列的预充电
阅读或者是自动进行的写命令
读或写突发结束后，除了在
全页突发模式，其中自动预充电不
适用。自动预充电是非持久性的，它可以是
启用或每个单独的读或写禁用
命令。
自动预充电可以确保预充电启动
在一个脉冲串内的最早的有效阶段。必须将用户
没有发出另一个命令在同一行，直到
预充电时间（
t
RP）的完成。这被确定为
如果在发出一个明确的预充电命令
尽可能早的时间，所描述的在每个脉冲串类型
该数据表的操作部分。
BURST TERMINATE
该BURST TERMINATE命令是用来种截取
美食是固定长度或整版阵阵。最
最近注册的读或写命令前，
在BURST TERMINATE命令将被截断，因为
本数据表中的操作部分所示。
128MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
128MSDRAM_E.p65 - 英文内容;酒馆。 1/02
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