256MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
概述
概述
256MB的SDRAM是高速CMOS ，动态随机存取记忆体载
荷兰国际集团268435456位。它在内部配置为四银行DRAM与同步的
理性接口（所有信号记录在时钟信号CLK的上升沿） 。
每X4的67,108,864位银行的组织为8192行到2048年列4
位。每X8的67,108,864位银行的组织为8192行1024列由
8位。每个x16的的67108864位的银行是由512列组织为8192的行
由16位。
读取和写入访问的SDRAM是迸发导向;存取开始以选定
位置并继续的位置的程序号的程序SE-
quence 。访问开始用积极的命令，它是那么的登记跟着
通过读或写命令钮。地址位注册暗合了
ACTIVE命令用于选择银行和行进行访问（ BA [ 1 ： 0 ]选择
银行; A [ 12 ： 0 ]选择行） 。在阅读或地址位重合注册
WRITE命令被用来选择突发存取的起始列位置。
SDRAM中提供可编程的读或写脉冲串长度（BL）的1 ，2，4 ，或8个
的位置，或在整页，用一个脉冲串终止的选择。自动预充电功能
可被使能，以提供一个自定时行预充电时的末被启动，它将
爆序列。
该256Mb的SDRAM采用内部流水线结构来实现高速能操作
通报BULLETIN 。此架构是与预取的架构中的2n规则兼容，但它
还允许将列地址到在每个时钟周期被改变，以实现高
速，完全随机访问。预充电一个存储在访问其他的一个
三家银行将隐藏在预充电周期，并提供无缝，高速，随机
DOM的访问操作。
该256Mb的SDRAM的设计在3.3V的存储器系统进行操作。自动刷新
模式设置，以及一个省电，掉电模式。所有的输入和输出
看跌期权是LVTTL兼容。
SDRAM芯片提供了实质性的进步， DRAM的经营业绩，包括
能够同步地以高的数据速率自动列地址的突发数据
一代，有能力内部银行之间的交错隐藏预充电时间，并
能力的突发期间，随意改变在每个时钟周期的列地址
访问。
汽车温度
汽车温度（ AT ）的选项符合以下规格：
• 16ms的刷新率
•刷新不支持自
•环境和情况下的温度不能超过+ 105°C低于-40°C或更高
PDF ： 09005aef8091e6d1
256Mb_sdr.pdf - 修订版S 12/12 EN
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