256MB ： X4，X8 ， X16 SDRAM
读操作
读操作
READ脉冲串开始与一个READ命令，如图15（第33页） 。该
起始列和行地址设置有READ命令，并自动
预充电是已启用或为突发访问禁用。如果自动预充电是ENA-
放血，被访问的行进行预充电完成时的突发。在后续
荷兰国际集团的数据，自动预充电被禁用。
在读阵阵，从起始列地址的有效数据进行元素
可用以下READ命令后， CAS延迟。每个后续的数据 -
出的元素将是下一个时钟上升沿有效。图23 （第52页）所示
对于每个可能的CAS延迟时间设置一般计时。
当一阵后，假设没有其他的命令已经启动，在DQ
信号将进入高阻抗。连续第一阵一直持续到结束。在
页面的最后，换到第0列，并继续。
从任何读突发数据可以与随后的READ指令被截断，并
从一个固定长度的读数据突发可以紧接着通过从读数据
命令。在任一情况下，也能够保持数据的连续流。第一数据
在新的突发因素或者遵循完爆或最后一个元素
长一阵，正在截断最后一个所需的数据元素。新的读的COM
命令应该发出
x
时钟沿之前周期时的最后期望的数据元素
精神疾病是有效的，其中
x
= CL - 1。这示于图23 （第52页），用于CL2和CL3 。
SDRAM器件使用流水线结构，因此不需要从2n规则AS-
sociated与预取架构。读命令可以在任何时钟启动
周期下一个读命令。全速随机读取访问，可以进行
到相同的银行，或者每个后续的读，可以执行到不同的组。
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