初步
256MB ： X32
SDRAM
同步
DRAM
特点
• PC100的功能
•完全同步;所有信号上注册
系统时钟的上升沿，
•内部流水线操作;可以列地址
可以改变每个时钟周期
•内部银行隐藏行存取/预充电
•可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
•自动预充电，主要包括并发AUTO
预充电和自动刷新模式
•自刷新模式
• 64毫秒， 4096周期刷新（值为15.6μs /行）
• LVTTL兼容的输入和输出
•单+ 3.3V ± 0.3V电源
•支持1,2和3 CAS延迟
MT48LC8M32B2 - 2梅格×32× 4银行
对于最新的数据资料，请参考美光网络
网站：
www.micron.com/sdramds
引脚配置（顶视图）
86针TSOP
V
DD
DQ0
V
DD
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
DD
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
NC
V
DD
DQM0
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
CS ＃
A11
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
DQM2
V
DD
NC
DQ16
V
SS
Q
DQ17
DQ18
V
DD
Q
DQ19
DQ20
V
SS
Q
DQ21
DQ22
V
DD
Q
DQ23
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
选项
•配置
8梅格×32 （ 2梅格×32× 4组）
记号
8M32B2
TG
P
F5
1
B5
1
•包
86针TSOP （ 400万）
86针TSOP （ 400万）无铅
90球FBGA （8毫米X 13毫米）
90球FBGA （采用8mm x 13毫米）无铅
•时间（周期时间）
为6ns （ 166兆赫）
7ns的（ 143兆赫）
•工作温度范围
商用（0 °C至+ 70 ° C）
工业级（-40° C至+ 85°C ）
注意：
1.可在-7只
产品编号举例：
-6
-7
无
IT
1
MT48LC8M32B2TG-7
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
DD
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
DD
Q
DQ8
NC
V
SS
DQM1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM3
V
SS
NC
DQ31
V
DD
Q
DQ30
DQ29
V
SS
Q
DQ28
DQ27
V
DD
Q
DQ26
DQ25
V
SS
Q
DQ24
V
SS
注意：
＃符号指示信号是低电平有效。
关键时序参数
速度
GRADE
-6
-7
时钟
存取时间
频率
CL = 3 *
166兆赫
143兆赫
5.5ns
6.0ns
格局
时间
1.5ns
2ns
HOLD
时间
1ns
1ns
8梅格×32
CON组fi guration
刷新计数
行寻址
银行地址
列寻址
2梅格×32× 4银行
4K
4K （ A0 -A11 ）
4 （ BA0 ， BA1 ）
512 (A0–A8)
* CL = CAS （ READ ）延迟
09005aef80cd8e48
256MbSDRAMx32.p65 - 版本B ;酒馆。 03/04
1
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