1梅格×16
FPM DRAM
FPM DRAM
特点
• JEDEC-和行业标准x16的时间，
功能，引脚和封装
•高性能，低功耗的CMOS硅栅
过程
•单电源（ + 3.3V ± 0.3V或5V ± 0.5V ）
•所有输入，输出和时钟TTL兼容
•刷新模式： RAS ＃ - 只， CAS ＃ -before - RAS ＃
（ CBR ）和隐藏
•可选的自刷新（ S）的低功耗数据
保留
•字节写和字节读访问周期
• 1024周期刷新（ 10行， 10列地址）
•快速页面模式（ FPM ）访问
MT4C1M16C3 ， MT4LC1M16C3
对于最新的数据表的修改，请参考美光
网站：
引脚配置（顶视图）
42引脚SOJ
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
NC
NC
WE＃
RAS ＃
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
CASL ＃
CASH ＃
OE ＃
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
NC
五十〇分之四十四引脚TSOP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
选项
•
电压
1
3.3V
5V
•包
塑料SOJ （ 400万）
塑料TSOP （ 400万）
•时机
为50ns存取
60ns的访问
•刷新率
标准的刷新（ 16毫秒期）
自刷新（ 128ms的时间段）
•工作温度范围
商用（ 0
o
C至+70
o
C)
扩展（ -20
o
C至+ 80
o
C)
产品编号举例：
记号
LC
C
NC
NC
WE＃
RAS ＃
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
NC
CASL ＃
CASH ＃
OE ＃
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
DJ
TG
-5
-6
无
S
2
无
ET
3
注意：
＃符号指示信号是低电平有效。
1 MEG ×16 FPM DRAM型号一览
产品型号
MT4LC1M16C3DJ-6
MT4LC1M16C3DJ - 6 S
MT4LC1M16C3TG-6
MT4LC1M16C3TG - 6 S
MT4C1M16C3DJ-6
MT4C1M16C3TG-6
供应包刷新
3.3V
SOJ
标准
3.3V
SOJ
自
3.3V
TSOP
标准
3.3V
TSOP
自
5V
SOJ
标准
5V
TSOP
标准
MT4LC1M16C3DJ-5
注意：
1.第三个字段区分低电压产品：
LC指定V
CC
= 3.3V和C表示V
CC
= 5V.
2.联系工厂。
3.只适用于MT4C1M16C3 （ 5V ）
概述
1兆欧×16的DRAM是一个随机访问的，固
组织状态存储器包含16777216位
一个X16的配置。 1梅格×16 DRAM既有
通过两个字节写和字写访问周期
CAS ＃引脚（ CASL ＃和现金＃ ） 。这些功能identi-
美云到一个CAS ＃在其他任何的DRAM
CASL ＃或现金＃将产生一个内部CAS ＃ 。
在CAS ＃功能和定时被确定
第一个CAS ＃ （ CASL ＃或现金＃ ）转换到LOW和
关键时序参数
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
RP
84ns
110ns
50ns
60ns
20ns
35ns
25ns
30ns
15ns
15ns
30ns
40ns
1梅格×16 FPM DRAM
D51_5V_B.p65 - 版本B ;酒吧3/01
1
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