4梅格×16
EDO DRAM
DRAM
特点
•单+ 3.3V ± 0.3V电源
•工业标准X16的引脚排列，时间，功能，
和包装
• 12行， 10列地址（R 6）
13行， 9列地址（ N3 ）
•高性能CMOS硅栅工艺
•所有输入，输出和时钟LVTTL兼容
•扩展数据输出（ EDO ）页模式访问
• 4096周期CAS ＃ -before - RAS ＃ （ CBR ）刷新
分布在64毫秒
•可选的自刷新（ S）的低功耗数据
保留
MT4LC4M16R6 ， MT4LC4M16N3
对于最新的数据资料，请参考美光网络
网站：
引脚配置（顶视图）
50针TSOP
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
NC
V
CC
WE＃
RAS ＃
NC
NC
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
†
A12
选项
=塑料包装
50针TSOP （ 400万）
•时机
为50ns存取
60ns的访问
•刷新率
4K
8K
标准刷新
自刷新
•工作温度范围
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
记号
TG
-5
-6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
V
SS
CASL ＃
CASH ＃
OE ＃
NC
NC
NC/A12
†
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
R6
N3
无
S*
对于N3版， NC为R6版本。
MT4LC4M16R6
CON组fi guration
刷新
行地址
列寻址
4梅格×16
4K
4K （ A0 -A11 ）
1K （ A0 -A9 ）
MT4LC4M16N3
4梅格×16
8K
8K （ A0 - A12 ）
512 (A0-A8)
无
注意：
1， “＃”符号表示信号为低电平有效。
*联系工厂。
产品编号举例：
MT4LC4M16R6TG-5
4 MEG ×16 EDO DRAM型号一览
产品型号
刷新
寻址包刷新
4K
4K
8K
8K
400 - TSOP标准
400-TSOP
自
400 - TSOP标准
400-TSOP
自
关键时序参数
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
CAS
84ns
104ns
50ns
60ns
20ns
25ns
25ns
30ns
13ns
15ns
8ns
10ns
MT4LC4M16R6TG-x
MT4LC4M16R6TG -个S
MT4LC4M16N3TG-x
MT4LC4M16N3TG -个S
X =速度
4梅格×16 EDO DRAM
D29_C.p65 - 修订版2/01
1
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