4 MEG ×4
FPM DRAM
DRAM
特点
•工业标准引脚排列X4 ，时间，功能，
和包
•高性能，低功耗的CMOS硅栅
过程
•单电源（ + 3.3V ± 0.3V或+ 5V ± 0.5V ）
•所有输入，输出和时钟TTL兼容
•刷新模式： RAS ＃ - 只，隐蔽性和CAS ＃ -
先于RAS ＃ （ CBR ）
•可选的自刷新（ S）的低功耗数据
保留
• 11行， 11列地址（ 2K刷新）或
12行， 10列地址（ 4K刷新）
•快速页面模式（ FPM ）访问
• 5V容限输入和I / O电压为3.3V器件
MT4LC4M4B1 ， MT4C4M4B1
MT4LC4M4A1 ， MT4C4M4A1
引脚配置（顶视图）
二十六分之二十四引脚SOJ
V
CC
DQ0
DQ1
WE＃
RAS ＃
**NC/A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
二十六分之二十四引脚TSOP
V
CC
V
SS
DQ0
DQ3
DQ1
DQ2
WE＃
CAS ＃
RAS ＃
OE ＃
**NC/A11
A9
A10
A0
A8
A1
A7
A2
A6
A3
A5
V
CC
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
V
SS
DQ3
DQ2
CAS ＃
OE ＃
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
选项
=电压
3.3V
5V
•刷新寻址
2048 （ 2K ）行
4096 （ 4K ）行
•包
塑料SOJ （ 300万）
塑料TSOP （ 300万）
•时机
为50ns存取
60ns的访问
•刷新率
标准刷新
自刷新（ 128ms的时间段）
记号
LC
C
B1
A1
DJ
TG
-5
-6
无
S*
** NC在2K刷新和A11的4K刷新选项。
4 MEG ×4 FPM DRAM型号一览
产品型号
MT4LC4M4B1DJ-6
MT4LC4M4B1DJ - 6 S
MT4LC4M4B1TG-6
MT4LC4M4B1TG - 6 S
MT4LC4M4A1DJ-6
MT4LC4M4A1DJ - 6 S
MT4LC4M4A1TG-6
MT4C4M4A1TG - 6 S
MT4C4M4B1DJ-6
MT4C4M4B1DJ - 6 S
MT4C4M4B1TG-6
MT4C4M4B1TG - 6 S
MT4C4M4A1DJ-6
MT4C4M4A1DJ - 6 S
MT4C4M4A1TG-6
MT4C4M4A1TG - 6 S
V
CC
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
刷新
寻址包刷新
2K
2K
2K
2K
4K
4K
4K
4K
2K
2K
2K
2K
4K
4K
4K
4K
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
标准
自
标准
自
标准
自
标准
自
标准
自
标准
自
标准
自
标准
自
注意：
1. 4梅格×4 FPM DRAM基数differenti-
阿泰的产品在一个地方， MT4LC4M4B1 。该
第五个字段区分各个选项： B1
指定一个2K刷新和A1指定一个4K
刷新FPM DRAM的。
2. ＃符号表示信号为低电平有效。
*联系工厂的可用性
产品编号举例：
MT4LC4M4B1DJ
关键时序参数
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
RP
84ns
110ns
50ns
60ns
20ns
35ns
25ns
30ns
13ns
15ns
30ns
40ns
梅格4 ×4 FPM DRAM
D49_5V.p65 - 修订版5/00
1
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