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MT4LC4M4E8DJ 参数 Datasheet PDF下载

MT4LC4M4E8DJ图片预览
型号: MT4LC4M4E8DJ
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内容描述: 梅格4 ×4 EDO DRAM [4 MEG x 4 EDO DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 23 页 / 291 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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科技公司
4 MEG ×4
EDO DRAM
MT4LC4M4E8 , MT4C4M4E8
MT4LC4M4E9 , MT4C4M4E9
DRAM
特点
•工业标准引脚排列X4 ,时间,功能和
套餐
国家的最先进的• ,高性能,低功耗的CMOS
硅栅工艺
•单电源( + 3.3V
±0.3V
或+ 5V
±10%)
•所有输入,输出和时钟TTL兼容
•刷新模式: RAS # - 只,隐蔽性和CAS # -
先于RAS # ( CBR )
•可选的自刷新( S)的低功耗数据保持
• 11行, 11列地址( 2K刷新)或
12行, 10列地址( 4K刷新)
•扩展数据输出( EDO )页面模式存取周期
• 5V容限输入和I / O电压为3.3V器件
引脚配置(顶视图)
二十六分之二十四引脚SOJ
(DA-2)
V
CC
DQ1
DQ2
WE#
RAS #
*NC/A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
V
SS
DQ4
DQ3
CAS #
OE #
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
二十六分之二十四引脚TSOP
(DB-2)
V
CC
DQ1
DQ2
WE#
RAS #
*NC/A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
V
SS
DQ4
DQ3
CAS #
OE #
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
选项
- 电压
3.3V
5V
•刷新寻址
2048 (即2K )行
4096 (即4K )行
•包
塑料SOJ ( 300万)
塑料TSOP ( 300万)
•时机
为50ns存取
60ns的访问
•刷新率
标准刷新
自刷新( 128ms的时间段)
记号
LC
C
E8
E9
DJ
TG
-5
-6
S
* NC在2K刷新和A11的4K刷新选项。
注意:
在“#”符号表示信号为低电平有效。
4 MEG ×4 EDO DRAM型号一览
产品型号
MT4LC4M4E8DJ
MT4LC4M4E8DJS
MT4LC4M4E8TG
MT4LC4M4E8TGS
MT4LC4M4E9DJ
MT4LC4M4E9DJS
MT4LC4M4E9TG
MT4LC4M4E9TGS
MT4C4M4E8DJ
MT4C4M4E8DJS
MT4C4M4E8TG
MT4C4M4E8TGS
MT4C4M4E9DJ
MT4C4M4E9DJS
MT4C4M4E9TG
MT4C4M4E9TGS
VCC
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
刷新
2K
2K
2K
2K
4K
4K
4K
4K
2K
2K
2K
2K
4K
4K
4K
4K
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
刷新
标准
标准
标准
标准
标准
标准
标准
标准
•产品编号举例: MT4LC4M4E8DJ - 6
注意:
4梅格×4 EDO DRAM基数区分冥
两个地方 -
MT4LC4M4E8.
第三字段区分低电压
产品: LC指定V
CC
= 3.3V和C表示V
CC
= 5V 。第五个字段
区分各个选项: E8指定一个2K刷新和E9指定一个
4K刷新EDO DRAM的。
关键时序参数
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
CAS
概述
在4兆×4的DRAM是一个随机访问的,固态
组织一个x4 CON-含16777216位内存
成形。 RAS#用来锁存行地址(第11
位2K和第12位为4K ) 。一旦页面被
开了由RAS# ,CAS#用来锁存列地址
84ns
104ns
50ns
60ns
20ns
25ns
25ns
30ns
13ns
15ns
8ns
10ns
梅格4 ×4 EDO DRAM
D47.pm5 - 修订版3/97
1
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©1997,
美光科技公司