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MT4LC4M4E8DJ 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MT4LC4M4E8DJ
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内容描述: 梅格4 ×4 EDO DRAM [4 MEG x 4 EDO DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 23 页 / 291 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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科技公司
4 MEG ×4
EDO DRAM
*强调高于绝对马克西在“上市
妈妈“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间会影响其可靠性。
绝对最大额定值*
在V电压
CC
引脚相对于V
SS
:
3.3V ................................................ ................ -1V至+ 4.6V
5V ................................................. ..................... -1V至+ 7V
电压NC ,输入或I / O引脚相对于V
SS
:
3.3V ................................................ ................ -1V至+ 5.5V
5V ................................................. ..................... -1V至+ 7V
工作温度,T
A
(环境) .......... 0 ° C至+ 70°C
存储温度(塑料) .................... -55 ° C至+ 150°C
功耗................................................ ............. 1W
短路输出电流..................................... 50毫安
DC电气特性和操作条件
(注:1)
3.3V
参数/条件
电源电压
输入高电压:
有效的逻辑1 ;所有的输入, I / O和任何NC
输入电压低:
有效的逻辑0 ;所有的输入, I / O和任何NC
输入漏电流:
任何输入在V
IN
(0V
V
IN
V
IH
[MAX] ) ;
所有其它引脚不被测= 0V
输出高电压:
I
OUT
= -2mA ( 3.3V ) , -5mA ( 5V )
输出低电压:
I
OUT
= 2毫安( 3.3V ) , 4.2毫安( 5V )
输出漏电流:
在V任何输出
OUT
(0V
V
OUT
5.5V);
DQ被禁用,在高阻态
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
I
3.0
2.0
-1.0
-2
最大
3.6
5.5
0.8
2
4.5
2.4
-0.5
-2
5V
最大
5.5
V
CC
+1
0.8
2
单位
V
V
V
µA
4
笔记
V
OH
V
OL
I
OZ
2.4
-
-5
-
0.4
5
2.4
-
-5
-
0.4
5
V
V
µA
梅格4 ×4 EDO DRAM
D47.pm5 - 修订版3/97
6
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