8 MEG ×8
FPM DRAM
DRAM
特点
•单+ 3.3V ± 0.3V电源
•工业标准引脚排列X8 ，时间，功能，
和包
• 13行， 10列地址（ E1 ）或
12行， 11列地址（ B6 ）
•高性能CMOS硅栅工艺
•所有输入，输出和时钟LVTTL-
兼容
•快速页模式（ FPM ）访问
• 4096周期CAS ＃ -before - RAS ＃ （ CBR ）刷新
分布在64毫秒
•可选的自刷新（ S）的低功耗数据
保留
MT4LC8M8E1 ， MT4LC8M8B6
引脚配置（顶视图）
32引脚SOJ
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
NC
V
CC
WE＃
RAS ＃
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
32针TSOP
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
NC
V
CC
WE＃
RAS ＃
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
SS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
SS
CAS ＃
OE ＃
NC/A12**
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
选项
•刷新寻址
4096 （ 4K ）行
8,192 （ 8K ）行
•塑料封装
32引脚SOJ （ 400万）
32针TSOP （ 400万）
•时机
为50ns存取
60ns的访问
•刷新率
标准的刷新（ 64ms的周期）
自刷新（ 128ms的时间段）
记号
B6
E1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
SS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VSS
CAS ＃
OE ＃
NC/A12**
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
** A12在E1版， NC在B6版
DJ
TG
8 MEG ×8 FPM DRAM型号一览
产品型号
刷新
地址
8K
8K
8K
8K
4K
4K
4K
4K
包刷新
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
标准
自
标准
自
标准
自
标准
自
-5
-6
无
S*
注意：
1. 8梅格×8 FPM DRAM基数
与众不同的产品在一个地方 -
MT4LC8M8E1 。第五个字段能够区分
各种选项： E1指定一个8K刷新和
B6指定一个4K刷新FPM DRAM的。
2. ＃符号表示信号为低电平有效。
*联系工厂的可用性
产品编号举例：
MT4LC8M8E1DJ-x
MT4LC8M8E1DJ -个S
MT4LC8M8E1TG-x
MT4LC8M8E1TG -个S
MT4LC8M8B6DJ-x
MT4LC8M8B6DJ -个S
MT4LC8M8B6TG-x
MT4LC8M8B6TG -个S
X =速度
概述
8梅格×8的DRAM的高速CMOS ，镝
含动力学随机存取存储器设备
组织在X8的配置67,108,864位。该
梅格8 ×8的DRAM在功能组织为8,388,608
位置包含每个8位。该8,388,608
存储位置是由1024排列成行8,192
列的MT4LC8M8E1或4096行× 2048
列的MT4LC8M8B6 。在读或写操作
周期，每个位置是唯一通过寻址
地址位。首先，行地址被锁存在
MT4LC8M8E1DJ-5
关键时序参数
速度
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
90ns
110ns
50ns
60ns
30ns
35ns
25ns
30ns
13ns
15ns
8梅格×8 FPM DRAM
D19_2.p65 - 修订版5/00
1
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