8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36
PIPELINED ZBT SRAM
8Mb
ZBT
®
SRAM
特点
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高频和100％的总线利用率
快速的生产周期：为6ns ， 7.5ns和10ns的
单+ 3.3V ± 5 ％电源（V
DD
)
独立的+ 3.3V或+ 2.5V隔离输出缓冲器
电源（V
DD
Q)
最低控制先进的控制逻辑
信号接口
单个字节写入控制器可以连接到低电平
单个R / W ＃ （读/写）的控制销
CKE ＃引脚，使时钟和暂停运营
三芯片使简单的深度扩张
时钟控制和注册地址，数据
I / O和控制信号
内部自定时的，完全一致的写
内部自定时，注册输出
消除需要控制OE＃
贪睡模式降低功耗待机
常见的数据输入和数据输出
线性或交错突发模式
连拍功能（可选）
有2MB， 4MB，并且引脚/功能的兼容性
18MB ZBT SRAM
自动断电
100引脚TQFP封装
165引脚FBGA封装
119引脚BGA封装
MT55L512L18P ， MT55L512V18P ，
MT55L256L32P ， MT55L256V32P ，
MT55L256L36P ， MT55L256V36P
3.3V V
DD
， 3.3V或2.5V的I / O
100引脚TQFP
1
165引脚FBGA
（初步数据包）
选项
•时序（通道/循环/兆赫）
为3.5ns / 6ns的/ 166 MHz的
4.2ns / 7.5ns / 133 MHz的
为5ns / 10ns的/ 100 MHz的
•配置
3.3V的I / O
512K ×18
256K ×32
256K ×36
2.5V的I / O
512K ×18
256K ×32
256K ×36
•包
100引脚TQFP
165针， 13毫米X 15毫米FBGA
119针， 14毫米X 22毫米BGA
•工作温度范围
商用（ 0℃至+ 70℃ ）
工业级（-40° C至+ 85°C ） **
标记*
-6
-7.5
-10
119引脚BGA
2
MT55L512L18P
MT55L256L32P
MT55L256L36P
MT55L512V18P
MT55L256V32P
MT55L256V36P
T
F
B
无
IT
注意：
1.符合JEDEC标准的MS -026 BHA （ LQFP ） 。
2.符合JEDEC标准的MS -028 BHA （ PBGA ） 。
产品编号举例：
MT55L256L32PT-7.5
*一个最热指南的FBGA封装器件可在Micron的发现
网站-HTTP ： //www.micron.com/support/index.html 。
**工业温度范围提供特定速度等级和
confgurations 。有关更多信息，请联系工厂。
8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36流水线ZBT SRAM
MT55L512L18P_2.p65 - 修订版6/01
1
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© 2001年，美光科技公司
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
