8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36
3.3V的I / O ，流水线， DCD SYNCBURST SRAM
8MB SYNCBURST
SRAM
特点
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™
MT58L512L18D ， MT58L256L32D ，
MT58L256L36D
3.3V V
DD
， 3.3V的I / O ，流水线，双
周期取消
快速时钟和OE ＃访问时间
+ 3.3V单电源+ 0.3V / -0.165V电源（V
DD
)
独立的+ 3.3V隔离输出缓冲电源（V
DD
Q)
贪睡模式降低功耗待机
常见的数据输入和数据输出
单个字节写入控制和全局写
三芯片使简单的深度扩展和
地址流水线
时钟控制的和注册的地址，数据I / O的
和控制信号
内部自定时写周期
突发控制（交错或线性突发）
针对便携式应用自动断电
100引脚TQFP封装
165引脚FBGA封装
低电容总线负载
提供X18 ， X32 ， X36和版本
100引脚TQFP *
165引脚FBGA
（初步数据包）
选项
•时序（通道/循环/兆赫）
为3.5ns / 6ns的/ 166 MHz的
4.0ns / 7.5ns / 133 MHz的
为5ns / 10ns的/ 100 MHz的
•配置
512K ×18
256K ×32
256K ×36
•包
100引脚TQFP （ 2芯片使能）
100引脚TQFP （ 3芯片使能）
165针， 13毫米X 15毫米FBGA
•工作温度范围
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
产品编号举例
记号
-6
-7.5
-10
MT58L512L18D
MT58L256L32D
MT58L256L36D
T
S
F
无
* JEDEC标准的MS -026 BHA （ LQFP ） 。
概述
美光
®
SyncBurst
™
SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计，是fabri-
cated用先进的CMOS工艺。
美光科技公司的8Mb SyncBurst的SRAM集成了512K X
18 ， 256K ×32或256K ×36的SRAM核心，先进的
同步外围电路和一个2位的脉冲串
计数器。所有同步输入通过寄存器
由一个正边沿触发的单时钟控制IN-
把（ CLK ） 。同步输入包括AD-所有
礼服，所有的数据输入，低电平有效芯片使能（ CE ＃ ） ，
两个额外的芯片能够轻松纵深拓展
（ CE2 ， CE2 ＃ ） ，突发控制输入（ ADSC ＃ ， ADSP ＃ ，
MT58L512L18DT-7.5
*一个最热指南的FBGA封装器件可在Micron的发现
网站-HTTP ： //www.micron.com/support/index.html 。
8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36 3.3VI / O ，流水线， DCD SyncBurst SRAM
MT58L512L18D_2.p65 - 修订版8/00
1
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