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MT58L256L32P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MT58L256L32P
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内容描述: 8MB : 512K ×18 , 256K X 32/36流水线, SCD SyncBurst SRAM [8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 27 页 / 391 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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8MB : 512K ×18 , 256K X 32/36
PIPELINED , SCD SYNCBURST SRAM
8MB SYNCBURST
SRAM
特点
•快速时钟和OE #访问时间
•单+ 3.3V + 0.3V / -0.165V电源(V
DD
)
•独立的+ 3.3V或+ 2.5V隔离输出缓冲器
电源(V
DD
Q)
•在间歇模式来减少功耗待机
•单周期取消选择(奔腾
®
BSRAM兼容)
•常见的数据输入和数据输出
•单个字节写入控制和全球
•三个芯片使简单的深度扩张
和地址流水线
•时钟控制和注册地址,数据
I / O和控制信号
•内部自定时写周期
•突发控制(交错或线性突发)
•用于便携式应用的自动断电
• 100引脚TQFP封装
• 165引脚FBGA封装
•低电容总线负载
•可用的X18 , X32 , X36和版本
MT58L512L18P , MT58L256L32P , MT58L256L36P ;
MT58L512V18P , MT58L256V32P , MT58L256V36P
3.3V V
DD
, 3.3V或2.5V的I / O ,流水线,单周期
DESELECT
100引脚TQFP
1
165引脚FBGA
选项
•时序(通道/循环/兆赫)
为3.5ns / 6ns的/ 166 MHz的
4.0ns / 7.5ns / 133 MHz的
为5ns / 10ns的/ 100 MHz的
•配置
3.3V的I / O
512K ×18
256K ×32
256K ×36
2.5V的I / O
512K ×18
256K ×32
256K ×36
•包
100引脚TQFP ( 2芯片使能)
100引脚TQFP ( 3芯片使能)
165针, 13毫米X 15毫米FBGA
•工作温度范围
商用(0 ° C至+ 70 ° C)
工业级(-40° C至+ 85°C ) **
产品编号举例:
记号
-6
-7.5
-10
MT58L512L18P
MT58L256L32P
MT58L256L36P
MT58L512V18P
MT58L256V32P
MT58L256V36P
T
S
F*
IT
注意:
1.符合JEDEC标准的MS -026 BHA ( LQFP ) 。
*一个最热指南的FBGA封装器件可在Micron的发现
网站-HTTP : //www.micron.com/support/index.html 。
**工业温度范围提供特定速度等级和
配置。有关更多信息,请联系工厂。
概述
美光
®
SyncBurst
SRAM家庭使用
高速,低功耗的CMOS设计,是fabri-
cated用先进的CMOS工艺。
美光科技公司的8Mb SyncBurst的SRAM集成了512K X
18 , 256K ×32或256K ×36的SRAM核心,先进的
同步外围电路和一个2位的脉冲串
计数器。所有同步输入通过寄存器
由一个正边沿触发的单时钟控制IN-
把( CLK ) 。同步输入包括AD-所有
礼服,所有的数据输入,低电平有效芯片使能( CE # ) ,
两个额外的芯片能够轻松纵深拓展
( CE2 , CE2 # ) ,突发控制输入( ADSC # , ADSP # ,
ADV # ) ,字节写使能( BWX # )和全局写
MT58L512L18PT-6
8MB : 512K ×18 , 256K X 32/36流水线, SCD SyncBurst SRAM
MT58L512L18P_C.p65 - 修订版2/02
1
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