ADVANCE
16MB ： 1 MEG ×18 ， 512K X 32/36
PIPELINED ， DCD SYNCBURST SRAM
16MB SYNCBURST
™
SRAM
特点
•快速时钟和OE ＃访问时间
•单+ 3.3V ± 2.5V 0.165Vor ± 0.125V电源
(V
DD
)
•独立的+ 3.3V或2.5V隔离输出缓冲器
电源（V
DD
Q)
•在间歇模式来减少功耗待机
•常见的数据输入和数据输出
•单个字节写入控制和全球
写
•三个芯片使简单的深度扩展和
地址流水线
•时钟控制和注册地址，数据的I / O
和控制信号
•内部自定时写周期
•突发控制（交错或线性突发）
•自动断电
• 100引脚TQFP封装
• 165引脚FBGA封装
•低电容总线负载
•可用的X18 ， X32 ， X36和版本
MT58L1MY18D ， MT58V1MV18D ，
MT58L512Y32D ， MT58V512V32D ，
MT58L512Y36D ， MT58V512V36D
3.3V V
DD
， 3.3V或2.5V的I / O; 2.5V V
DD
, 2.5V
I / O ，流水线，双循环取消
100引脚TQFP
1
165引脚FBGA
（初步数据包）
选项
•时序（通道/循环/兆赫）
为3.5ns / 6ns的/ 166 MHz的
4.0ns / 7.5ns / 133 MHz的
为5ns / 10ns的/ 100 MHz的
•配置
3.3V V
DD
， 3.3V或2.5V的I / O
1梅格×18
512K ×32
512K ×36
2.5V V
DD
， 2.5V的I / O
1梅格×18
512K ×32
512K ×36
TQFP标记*
-6
-7.5
-10
注意：
1.符合JEDEC标准的MS -026 BHA （ LQFP ） 。
MT58L1MY18D
MT58L512Y32D
MT58L512Y36D
MT58V1MV18D
MT58V512V32D
MT58V512V36D
T
F
无
概述
美光
®
SyncBurst
™
SRAM系列采用高
这是捏造的速度，低功耗CMOS设计
用先进的CMOS工艺。
美光公司的16Mb的SyncBurst的SRAM集成了1兆X
18 ， 512K ×32或512K ×36的SRAM核心，先进的
同步外围电路和一个2位的脉冲串
计数器。所有同步输入通过寄存器
由一个正边沿触发的单时钟控制IN-
把（ CLK ） 。同步输入包括所有地址，
所有数据输入，低电平有效芯片使能（ CE ＃ ） ， 2
附加芯片实现，便于深度扩展（ CE2 ，
CE2 ＃ ） ，突发控制输入（ ADSC ＃ ， ADSP ＃ ， ＃ ADV ）
字节写使能（ BWX ＃ ）和全局写（ GW ＃ ） 。记
这CE2 ＃不可用在T版本。
异步输入包括输出使能
（ OE＃ ） ，时钟（CLK）和打盹启用（ ZZ） 。也有
•包
100引脚TQFP （ 3芯片使能）
165引脚FBGA
•工作温度范围
商用（ 0℃至+ 70℃ ）
*为FBGA封装标识指南，请参阅第34页。
产品编号举例：
MT58L1MY18DT-7.5
16MB ： 1兆欧×18 ， 512K X 32/36流水线， DCD SyncBurst SRAM
MT58L1MY18D_2.p65 - 冯7/00
1
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