已过时94年8月31日
MT5C6401
64K ×1的SRAM
SRAM
特点
•高速： 9，10， 12，15， 20和25ns的
•高性能，低功耗， CMOS双金属
过程
•单+ 5V
±10%
电源
•易于扩展的内存使用
/
C
/
E选项
•所有输入和输出为TTL兼容
64K ×1的SRAM
引脚配置（顶视图）
22引脚DIP
(SA-2)
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
D
CE
选项
•时机
9ns访问
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
•包
塑料DIP （ 300密耳）
塑料SOJ （ 300万）
• 2V数据保留
•温
广告
产业
汽车
EXTENDED
记号
- 9
-10
-12
-15
-20
-25
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
Q
无
DJ
L
WE
VSS
24针SOJ
(SD-1)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
NC
A6
A7
Q
WE
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A15
A14
A13
A12
NC
A11
A10
A9
A8
D
CE
（ 0 ° C至+ 70 ° C）
（ -40 ° C至+ 85°C ）
（ -40°C至+ 125°C ）
（ -55 ° C至+ 125°C ）
无
IT
AT
XT
•产品编号举例： MT5C6401DJ - 10升
注：操作温度，速度，数据保留并非所有组合
和低功耗有一定可用。请联系工厂availabil-
性的特定部分数字组合。
概述
该MT5C6401使用组织为65556 ×1的SRAM
具有高速，低功耗的四晶体管存储器单元
CMOS工艺。微米的SRAM采用双是捏造
金属层，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用的灵活性，
美光科技公司提供芯片使能（ / C
/
e）与所有组织。这
强化可以将输出高-Z的额外
tional灵活的系统设计。 X1的配置
设有独立的数据输入和输出。
MT5C6401
REV 。 12/93
写入这些设备被实现时的写
使能（ ？ W¯¯
/
E）和
/
C
/
Ë投入都很低。阅读是
完成时
?
W
/
Ë居高不下，
/
C
/
E增大到
低。该器件提供了一个低功率待机模式
当禁用。这使得系统设计人员能够满足低
待机功耗要求。
所有器件均采用+ 5V单电源供电，
所有输入和输出完全兼容TTL 。
1
美光半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
©1993,
美光半导体公司
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
