已过时94年8月31日
MT5C6401
64K ×1的SRAM
AC测试条件
输入脉冲电平................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间.......................................为3ns
输入时序参考电平1.5V .............................
输出参考电平1.5V .....................................
输出负载..............................参见图1和图2
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
Q
255
30 pF的
+5V
480
Q
255
5 pF的
+5V
480
笔记
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度<
t
RC/2.
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
这个参数进行采样。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
6.
t
HZCE和
t
HZWE与CL = 5pF的指定为
图。 2.转换测量
±500mV
从稳定
态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE
1.
2.
3.
4.
5.
8.
?
W
/
E为高电平读周期。
9.设备不断选择。所有的芯片都能够
在他们活跃的状态中。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
12.芯片使能和写使能发起和
结束一个写周期。
13.典型值在测量5V ，25° C和15ns的
周期时间。
14.典型的电流在25 ℃下测定。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
/
C
/
E
≥
（VCC -0.2V ）
V
IN
≥
(V
CC
-0.2V)
or
≤
0.2V
V
CC
= 2V
V
CC
= 3V
条件
符号
V
DR
I
CCDR
I
CCDR
t
CDR
t
R
民
2
典型值
130
210
最大
300
400
单位
V
µA
µA
ns
ns
笔记
14
14
4
4, 11
0
t
RC
MT5C6401
REV 。 12/93
7
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