3V ，256MB ：多个I / O串行闪存
特点
美光的串行NOR闪存
3V ，多个I / O， 4KB扇区擦除
N25Q256A
特点
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SPI兼容串行总线接口
双传输速率（ DTR ）模式
2.7〜3.6V单电源电压
108兆赫（ MAX）时钟支持所有频率
在单一的传输速率（ STR ）模式协议
54兆赫（ MAX）时钟支持所有频率
在DTR模式协议
双核/四I / O指令提供增加
吞吐量高达54 MB /秒
支持的协议
- 扩展SPI ，双I / O和四I / O
- 支持所有的DTR模式
执行就地（ XIP ）模式对所有三个协议
- 通过易失性或非易失性配置寄存器
- 启用内存XIP模式下工作，直接自动对焦
器上电
编程/擦除挂起操作
整个存储器通过一个单一的COM连续读取
MAND
- 快速阅读
- 四核或双输出快速阅读
- 四核或双I / O读取速度快
灵活，以适应应用程序
- 虚拟周期配置的数量
- 输出缓冲区配置
软件复位
3字节和4个字节的可寻址模式支持
64字节，用户可锁定，一次性可编程
（ OTP ）专用区域
另外一个复位引脚可在以下
器件
- N25Q256A83ESF40x ， N25Q256A83E1240x
删除功能
- 界别分组擦除4KB粒度均匀块
- 扇区擦除64KB粒度均匀块
- 全片擦除
•写保护
- 适用于所有的软件写保护
通过挥发锁位64KB部门
- 硬件写保护：保护区的大小
五非易失位（ BP0 ， BP1 ， BP2定义，
BP3和结核病）
- 其他智能保护，可根据重新
探索
•电子签名
- 符合JEDEC标准的2个字节的签名（ BA19h ）
- 17个只读的字节数，包括唯一ID ：额外
tional扩展装置ID（ EDID），以确定DE-
副厂的选项;定制工厂数据
每个扇区•最低10万次擦除周期
• 20年以上的数据保留
•封装符合JEDEC标准，所有符合RoHS标准
- V- PDFN - 8 / 8毫米x 6mm的（也称为子，
DFPN ， MLP MLF ）
,
- SOP2-16 / 300mils （也称为SO16W ， SO16-
宽， SOIC -16 ）
- T型PBGA - 24b05 / 6× 8毫米（也称为
TBGA24)
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PDF ： 09005aef84566603
n25q_256mb_65nm.pdf - 修订版Q 05/13 EN
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