128MB， 256MB，512MB ，1GB的StrataFlash存储器
AADM模式
表57 ： AADM同步时序（续）
符号
t
CHTV
t
CHVL
t
CHTx
t
CHVH
t
CHGL
t
VLVH
t
VHCH
t
CHGH
t
GHCH
t
GLCH
目标（ 104兆赫）
敏（ NS ）
2.5
2
2
2.5
t
CLK
目标（ 104兆赫）
马克斯（ NS ）
7
笔记
4, 5
2 ×
t
CLK
3, 4
3
2
2
3
注意事项：
1.在同步突发读周期，异步OE ＃到＃ ADV建立和保持时间
还必须满足（
t
GHVH和
t
VHGL ）以表示的地址捕获阶段
总线周期结束。
2.读周期可能只被终止（前完成传感数据）一次
前一个完整的总线周期必须被允许完成。
3.设备必须向下运行至9.6 MHz的同步连拍模式。
4.在一个字符组读总线周期的地址捕获阶段， OE＃定时相对于CLK的
应完全相同ADV ＃相对于CLK的。
5.为防止主机和存储设备之间的A / D总线争用， OE ＃始得
被拉低后，主机满足了ADDR保持规范，
t
CHAX 。
V的指定6.上升和下降时间
IL
和V
IH
.
图55 ： AADM同步突发读周期（ ADV ＃撤除地址周期之间）
A / DQ [ 15 ： 0 ]
t
AVCH
A [ MAX ： 16 ]
t
CHAX
t
AVCH
A[15:0]
DQ [15：0 ]
DQ [15：0 ]
A
延迟数
t
CHAX
t
CHQV
t
CHQX
CLK
t
VLCH
t
CHVL
t
CHVH
t
CHVL
t
VLCH
t
CHVH
ADV ＃
t
ELCH
CE＃
t
GLCH
t
CHGH
t
GHCH
t
CHGL
OE ＃
WE＃
t
GLTX
t
GLTV
t
CHTV
t
CHTx
等待
注意事项：
1. CE＃不必去断言，在周期的开始，如果OE ＃没有输出控制。
2.该图显示WAIT为低电平有效（RCR [10] = 0 ）中，用数据有效（ RCR [8] = 0）。
3.对于无缠绕串，结束字线可能发生等待状态（未示出）。
PDF ： 09005aef8448483a
128_256_512_65nm_g18.pdf - 牧师˚F 8/11 EN
114
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
©
2011美光科技公司保留所有权利。
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
