128MB， 256MB，512MB ，1GB的StrataFlash存储器
电气规格 - 交流特性和操作
条件
电气规格 - 交流特性和工作条件
AC测试条件
图16 ： AC输入/输出参考波形
V
CCQ
输入
0V
V
CCQ
/2
t
上升/下降
测试点
V
CCQ
/2
产量
注意：
1. AC测试输入在V驱动
CCQ
为逻辑1和0.0V为逻辑0输入/输出时序
开始/结束在V
CCQ
/ 2 。输入上升和下降时间（ 10 ％至90 ％） <5ns 。最坏情况下的速度OC-
小人在V
CC
= V
CC ，分
.
表37 ：AC输入要求
参数
输入上升/下降时间（地址，
CLK ， CE ＃ ， OE ＃ ， ADV ＃ ， WE＃ ， WP ＃ ）
地址，地址偏移
1
注意：
符号
t
上升/下降
频率
@ 133 MHz时，
108兆赫
@ 66兆赫
民
0.3
0
0
最大
1.2
3
3
单位
ns
条件
V
IL
到V
IH
or
V
IH
到V
IL
@V
CCQ
/2
t
ASKW
ns
1.对于一个地址被锁存偏斜定义为时间时，所述第一地址位是
有效的最后一个地址位会有效。
图17 ：瞬态等效的测试负载电路
设备下
TEST
C
L
OUT
注意事项：
1.请参见测试配置负载电容值的最差情况速度条件下表
元件值的测试配置。
2. C
L
包括夹具电容。
表38 ：测试配置负载电容值的最差情况飞车
条件
测试配置
1.7V标准测试
2.0V标准测试
C
L
（PF ）
30
30
PDF ： 09005aef8448483a
128_256_512_65nm_g18.pdf - 牧师˚F 8/11 EN
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