128MB， 256MB，512MB ，1GB的StrataFlash存储器
概述
概述
Micron的65纳米装置是最新一代的StrataFlash的
®
无线存储器featur-
荷兰国际集团柔性的，多分区，双操作架构。该器件可提供高
使用1.8V的性能，异步读取模式和同步突发读取模式
低电压，多级单元（MLC）技术。
在多分区架构支持后台编程或擦除到的OC
CUR在一个分区，而代码执行和数据读取发生在另一个分区。
这种双操作架构还允许两个处理器交错码操作
，而且还能编程和擦除操作发生在后台。多
的PLE分区允许灵活的系统设计人员选择的代码的大小和
数据段。
该器件采用65nm工艺技术制造，是行业提供
尝试标准的芯片级封装。
功能概述
此设备提供了高的读写性能，在低电压对一个16位的数据
总线。多分区架构提供了同时读 - 写和读，而擦除
能力，可单独擦除的存储块的大小，以获得最佳的代码和数据
存储。
该器件在密度从128MB到1Gb的课程。该设备支持同步
突发读取多达使用增强CLK锁存为45纳米的所有密度的133 MHz 。
在初始上电或从回归复位，设备默认为异步读
模式。配置读取配置寄存器使能同步突发模式
读取。在同步脉冲串模式下，输出数据与用户提供的同步
时钟信号。在连续突发模式，数据的读取可以遍历分区边界。一
WAIT信号简化了同步CPU到存储器。
专为低电压应用，该设备支持带V的读操作
CC
at
与V 1.8V ，并擦除和编程操作
PP
在1.8V或9.0V 。 V
CC
和V
PP
可以
绑在一起的简单，超低功耗设计。除了电压灵活性，一个
专用V
PP
连接提供了完整的数据保护时， V
PP
小于
V
PPLK
.
状态寄存器提供了擦除和编程操作的状态和错误条件
系统蒸发散。
一次性可编程（OTP）区能够唯一标识可用于
提高安全性。此外，个别块锁定功能提供零延迟
块锁定和解锁，以防止不必要的程序或阵列擦除。
该器件提供节省功耗的功能，包括自动节能模式，
待机模式和深度掉电模式。为了节省功耗，器件automati-
进入美云下一个读周期APS 。当系统将取消待机启动
该装置通过去断言CE ＃ 。深度掉电提供最低的功耗
化，并通过在扩展配置寄存器编程使能。 DPD已以启动
通过触发DPD引脚tiated 。
PDF ： 09005aef8448483a
128_256_512_65nm_g18.pdf - 牧师˚F 8/11 EN
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