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PC28F00AP30BF 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PC28F00AP30BF
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内容描述: 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器( P30-65nm ) [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 92 页 / 1225 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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512MB, 1GB,2GB : P30-65nm
特点
美光并行NOR闪存的嵌入式
内存( P30-65nm )
JS28F512P30BFx , JS28F512P30EFx , JS28F512P30TFx ,
PC28F512P30BFx , PC28F512P30EFx , PC28F512P30TFx
JS28F00AP30BFx , JS28F00AP30TFx , JS28F00AP30EFx ,
PC28F00AP30BFx , PC28F00AP30TFx , PC28F00AP30EFx ,
RC28F00AP30BFx , RC28F00AP30TFx , PC28F00BP30EFx
特点
•高性能
•易于BGA封装的特点
- 100ns的也为512MB ,1GB易BGA初始访问
- 105ns 2GB的简易BGA初始访问
- 25ns的16字台异步页读模式
- 52兆赫(简易BGA)与零等待状态,
为17ns时钟到数据输出同步突发
读取模式
- 4-, 8-,16- ,和连续Word选项突发
模式
• TSOP封装的特点
- 110ns,从而也为512MB ,1GB TSOP初始访问
•既容易BGA和TSOP封装的特点
- 缓冲增强工厂编程( BEFP )
在用512字缓冲区2 MB /秒( TYP )
- 以1.46 MB / s的1.8V缓冲编程( TYP )
用一个512字的缓冲
•架构
- MLC :高密度最低的成本
- 对称受阻架构( 512MB, 1GB,
2Gb)
- 非对称受阻架构( 512MB,
1GB ) ; 4 32KB参数块:顶部或底部
CON组fi guration
- 128KB主要模块
- 空白检查,以核实擦除块
•电压和功率
– V
CC
(芯)电压: 1.7-2.0V
– V
CCQ
( I / O)电压: 1.7-3.6V
- 砂姜电流: 70μA (典型值),也为512MB ; 75μA
(典型值)的1Gb
- 52 MHz的连续同步读取电流:
21毫安(典型值) , 24毫安( MAX)
- 安全
- 一次性可编程寄存器: 64位OTP ,
从米 - 独特的信息编程
cron的;可为客户亲2112 OTP位
编程
- 绝对的写保护: V
PP
= V
SS
- 电源转换擦除/编程锁定
- 个人零延迟块锁定
- 单个块锁闭
- 访问密码
•软件
25μs
( TYP )计划暂停
25μs
( TYP )擦除暂停
- 闪存数据集成优化
- 基本命令集和扩展功能接口
面( EFI )命令集兼容
- 通用闪存接口
•密度和包装
- 56引脚TSOP封装(512MB ,1GB )
- 64 - 易球BGA封装( 512MB, 1GB,2GB )
- 16位宽的数据总线
•质量和可靠性
- JESD47标准
??工作温度: ? 40 ° C至+ 85°C
- 每块最少100,000次擦除周期
- 65纳米制程技术
PDF : 09005aef845667b3
p30_65nm_MLC_512Mb - 1gb_2gb.pdf - 版本B 12/13 EN
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