512MB， 1GB，2GB ： P30-65nm
读操作
读操作
该器件支持两种读取模式：异步页模式和同步突发
模式。异步页模式是后器件上电或重新默认读模式
设置的。根据异步页模式下，该设备还可以执行读一个字。该
读取配置寄存器必须配置为启用同步突发读取的
数组。
该装置可以是任何的四个读状态：读阵列，读识别符，读状态，或
读取CFI 。上电时，或复位后，设备默认值读取阵列。要改变
读出状态时，相应的读命令必须被写入到设备。
异步单字读
以执行读取异步单个字，一个地址上驱动地址
公交车和CE ＃是断言。
注意：
要执行读了TSOP封装异步单字， ADV ＃必须
LOW整个读周期。一个简单的BGA封装， ADV ＃可驱动高
锁存地址或在整个读周期低电平保持。
WE＃和RST ＃必须已经失效。 WAIT设置为解除断言状态
在单字模式，通过读取配置寄存器的第10位决定的。
CLK不用于异步单个字的读取，和被忽略。如果异步
读是为只执行， CLK应与有效的V
IH
或V
SS
的水平，可以等待
可浮动，以及ADV ＃必须接地。后OE＃有效时，数据驱动
到DQ [15：0 ]后的初始接入时间
t
AVQV或
t
GLQV延迟。
异步页面模式读取（简易BGA专用）
注意：
异步页面模式读取只在主阵列的支持。
以下的装置上电或复位时，异步页模式是默认的读取
模式和所述设备被设置为读取阵列。但是，为了进行排列后的任何其他读
设备的操作（写操作）时，读ARRAY命令必须在或 - 发出
明镜，从数组中读。
异步页面模式读取时读取配置寄存器只能进行
器位RCR15设置。
执行异步页模式的读，一个地址上驱动地址
公交车和CE ＃和ADV ＃断言。 WE＃和RST ＃必须已经取消的断言
特德。在异步页模式等待撤除。 ADV ＃可驱动至高电平
锁存的地址，或者它必须在整个读周期保持低电平。 CLK的不使用
异步页面模式读取，因此被忽略。如果只有异步读取是要
执行， CLK应与有效的V
IH
或V
SS
水平， WAIT信号可以浮动，
和ADV ＃必须接地。阵列数据被驱动到DQ [15：0 ]之后的初始AC-
塞斯时间
t
AVQV延迟。
在异步页模式， 16个数据字从阵“感知”并举
和加载到内部页缓冲器。对应于初始缓冲字
在地址总线上的地址被驱动到DQ [15：0 ]的初始接入时延之后。该
最低4位地址确定哪个16字页面的字是输出从
在任何给定时刻的数据缓冲器。
PDF ： 09005aef845667b3
p30_65nm_MLC_512Mb - 1gb_2gb.pdf - 版本B 12/13 EN
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