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    PC28F00AP30BF 参数 Datasheet PDF下载

    PC28F00AP30BF图片预览
    型号： PC28F00AP30BF
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    内容描述： 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路
    文件页数/大小： 92 页 / 1225 K
    品牌： MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
     浏览型号PC28F00AP30BF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PC28F00AP30BF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PC28F00AP30BF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PC28F00AP30BF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号PC28F00AP30BF的Datasheet PDF文件第9页浏览型号PC28F00AP30BF的Datasheet PDF文件第10页浏览型号PC28F00AP30BF的Datasheet PDF文件第11页浏览型号PC28F00AP30BF的Datasheet PDF文件第12页  
    512MB， 1GB，2GB ： P30-65nm
    虚拟芯片使能描述
    虚拟芯片使能描述
    2GB的设备采用虚拟芯片使能功能，它结合了两个1Gb的芯片
    具有共同的芯片使能CE＃为易BGA封装。最高地址位
    然后用选择的芯片对符合CE ＃断言。当CE＃是断言和
    最高地址位为低时，低模参数选择;当CE＃为AS-i
    牢固插入和最大地址位为高电平时，上模参数被选择。
    表3 ：虚拟芯片使能真值表，方便BGA封装
    选择死
    较低的参数模
    上面的参数模
    CE＃
    L
    L
    A [ MAX]
    L
    H
    图1 ：简单BGA框图
    易BGA （双模）顶部/底部
    参数配置
    CE＃
    WP ＃
    OE ＃
    WE＃
    CLK
    ADV ＃
    上面的参数模
    RST ＃
    VCC
    VPP
    VCCQ
    底模参数
    VSS
    DQ [15：0 ]
    A [ MAX ： 1 ]
    等待
    PDF ： 09005aef845667b3
    p30_65nm_MLC_512Mb - 1gb_2gb.pdf - 版本B 12/13 EN
    8
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