恒忆
®
Axcell ™ P30-65nm闪存
512兆位， 1千兆， 2千兆位
数据表
产品特点
高性能：
易BGA ：
- 100ns的初始存取时间（ 512兆位， 1千兆）
- 105ns初始存取时间（ 2千兆位）
- 25ns的16字异步页读模式
- 52MHz的零等待状态，为17ns时钟用于─
数据输出同步突发读取模式
- 4位，8位，16位和连续的字选择
突发模式
TSOP ：
- 110ns，从而初次访问时间
易BGA和TSOP ：
- 在缓冲增强工厂编程
2.0MByte /秒（典型值），使用512个字的缓冲区
- 在1.46MByte / s的1.8V缓冲编程
（典型值）用512字缓冲区
架构：
- 多级单元技术：最高密度
以最低成本
- 对称受阻架构（ 512-
兆比特， 1千兆位，2个千兆位）
- 非对称封闭的架构，四32
K字节的参数块：顶部或底部
配置（ 512兆位， 1千兆）
- 128 K字节数组块
- 空白检查，以验证擦除块
电压和功率：
- VCC （核心）电压： 1.7V - 2.0V
- VCCQ （ I / O）电压： 1.7V - 3.6V
- 待机电流： 70μA （典型值）的512 - Mbit的，
75μA （典型值）为1千兆位
- 连续同步读取电流（易
BGA ） ： 21毫安（典型值） / 24毫安（最大） ，在52MHz的
增强的安全性：
- 绝对的写保护： VPP = VSS
- 电源转换擦除/编程锁定
- 个人零延迟块锁定
- 单个模块锁断功能
- 密码访问功能
- 一次性可编程寄存器：
- 64 OTP位，编程的独特
由恒忆信息
- 2112 OTP位，可供客户
程序设计
软件：
- 在25μs （典型值）计划暂停
- 为30μs （典型值）擦除暂停
- 恒忆
®
闪存数据集成优化
- 基本命令集和扩展功能
接口（EFI ）命令集兼容
- 通用闪存接口能够
密度和包装
- 56引脚TSOP （ 512兆位， 1千兆）
- 64 - 易球BGA（ 512兆位， 1千兆位，2个千兆位）
- 16位宽的数据总线
质量和可靠性
- JESD47E标准
??工作温度： ？ 40 ° C至+ 85°C
- 最少100,000次擦除周期
- 65纳米制程技术
数据表
1
九月
2012
订单号： 208042-06
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
