256MB和512MB （256 / 256MB ） ， P30-65nm
特点
美光并行NOR闪存的嵌入式
内存（ P30-65nm ）
JS28F256P30B /位TFx ， RC28F256P30B /位TFx ， PC28F256P30B /位TFx ，
RD48F4400P0VBQEx ， RC48F4400P0VB0Ex ，
PC48F4400P0VB0Ex ， PF48F4000P0ZB / TQEx
特点
•高性能
- 100ns的，便于BGA初始访问
- 110ns，从而为TSOP初始访问
- 25ns的16字台异步页读模式
- 52兆赫（简易BGA）与零等待状态，
为17ns时钟到数据输出同步突发
读取模式
- 4-， 8-，16- ，和连续Word选项突发
模式
- 缓冲增强工厂编程（ BEFP ）
在2MB /秒（典型值），使用的是512字缓冲器
- 为1.14MB /秒（典型值） 1.8V缓冲编程
用512字缓冲器
•架构
- MLC ：高密度最低的成本
- 非对称受阻架构
- 四个32 - KB参数块：顶部或底部CON-
组fi guration
- 128KB主要模块
- 空白检查，以核实擦除块
•电压和功率
– V
CC
（核心）电压： 1.7V至2.0V
– V
CCQ
（ I / O）电压： 1.7V至3.6V
- 砂姜电流： 65μA （典型值）的256Mb
- 52 MHz的连续同步读取电流：
21毫安（典型值） ， 24毫安（ MAX）
- 安全
- 一次性可编程寄存器： 64位OTP ，
从米 - 独特的信息编程
cron的;可为客户亲2112 OTP位
编程
- 绝对的写保护： VPP = VSS
- 电源转换擦除/编程锁定
- 个人零延迟块锁定
- 单个块锁闭
- 访问密码
•软件
–
25μs
（ TYP ）计划暂停
–
25μs
（ TYP ）擦除暂停
- 闪存数据集成优化
- 基本命令集和扩展功能接口
面（ EFI ）命令集兼容
- 通用闪存接口
•密度和包装
- 56引脚TSOP封装（256只）
- 64 - 易球BGA封装（ 256MB，512MB ）
- QUAD +和SCSP包（ 256MB，512MB ）
- 16位宽的数据总线
•质量和可靠性
- JESD47E标准
- 工作温度： -40°C至+85°C
- 每块最少100,000次擦除周期
- 65纳米制程技术
PDF ： 09005aef84566799
p30_65nm_256Mb - 512mb.pdf - 版本A 1/13 EN
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