256MB和512MB （256 / 256MB ） ， P30-65nm
程序运行
然后通过状态检查。 SR.0指示何时从缓冲器的数据已经被编程
MED为连锁快闪存储器阵列的位置。
以下所述缓冲器到闪存阵列的编程顺序中，写状态机
（ WSM ）递增内部寻址，自动选择下一个512字阵
边界。 BEFP的这一方面节省了主机的编程设备的地址总线设定
在头顶。
有了充足的连续性测试，编程设备可以依靠WSM的IN-
ternal验证，以确保该设备已正确编程。这消除
外部后程序验证和其相关联的开销。
BEFP要求和注意事项
表14： BEFP要求
参数/问题
外壳温度
V
CC
V
PP
设置和确认
程序设计
需求
T
C
= 30°C ± 10 °C
标称V
CC
驱动到V
PPH
目标块必须发出BEFP设置和确认命令之前解锁。
要编程的块的第一个字的地址（ WA0 ）必须保持为恒定
从通过洒进目标块中的所有数据的建立阶段，直至转变
到出口相是理想的。
WA0必须配合阵列缓冲区边界的开始。
注意：
1
笔记
缓冲区对齐
阵列中的1字缓冲器边界由A的确定的[9： 1]为便于BGA和TSOP ;
A [ 8 ： 0] （通过到0x1FF量0x000 ） QUAD +封装。对准起点为A [ 9 ： 1 ] =
量0x000为了便于BGA和TSOP ; A [ 8 ： 0 ] = 0x000的对QUAD +封装。
表15 ： BEFP注意事项
参数/问题
循环
暂停
编程
闪存阵列
需求
为了获得最佳性能，骑自行车必须低于每50块擦除周期是有限的。
BEFP不能暂停。
编程到闪存存储器阵列可以当缓冲器满时才出现。
注意事项：
3
笔记
1
2
编程块BEFP程序一次一个块;所有的缓冲区中的数据必须落在一个单一的块中。
1.如果超出此限制，性能下降，可能会发生，但内部
算法继续正常工作。
2.如果超出块的最大地址内部地址计数器递增， AD-
敷料绕回到该块的开头。
3.如果字的数目是小于512 ，剩余的位置必须被填充为0xFFFF 。
BEFP安装阶段
接到BEFP设置和确认命令序列后，状态寄存器的位SR 。
图7（就绪）被清零，表示WSM忙于BEFP算法的启动。说明请参
检查SR.7之前打下的要求，使WSM足够的时间来完成所有的
设置和检查（块锁定状态，V
PP
水平，等等）。如果检测到错误， SR.4设置
PDF ： 09005aef84566799
p30_65nm_256Mb - 512mb.pdf - 版本A 1/13 EN
34
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
©
2013美光科技公司保留所有权利。
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
