256MB和512MB （256 / 256MB ） ， P30-65nm
AC书写规范
AC书写规范
表46 ：AC编写规范
数
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
W10
W11
W12
W13
W14
W16
符号
t
PHWL
t
ELWL
t
WLWH
t
DVWH
t
AVWH
t
WHEH
t
WHDX
t
WHAX
t
WHWL
t
VPWH
t
QVVL
t
QVBL
t
BHWH
t
WHGL
t
WHQV
参数
RST ＃高回收率为WE＃低
CE＃安装到WE＃低
WE＃写脉冲宽度低
数据建立到WE＃高
地址设置到WE＃高
CE＃持有WE＃高
数据保持在WE＃高
地址保持从WE＃高
WE＃脉冲宽高
V
PP
安装到WE＃高
V
PP
持有状态读
WP ＃从状态读取召开
WP ＃安装到WE＃高
WE＃高到OE ＃低
WE＃高读取有效
民
150
0
50
50
50
0
0
0
20
200
0
0
200
0
t
AVQV
+ 35
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1, 2, 9
1, 2, 3, 6,
10
1, 2, 3, 6, 8
1, 2, 3, 6,
10
1, 2, 3, 7
1, 2, 5
1, 2, 3, 7
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 4
1, 2, 12
1, 2
写异步读取规格
W18
W19
W20
W28
W21
W22
t
WHAV
t
界河/ L
t
WHVH
t
WHVL
t
VHWL
t
CHWL
注意事项：
WE ＃高到地址有效
WE＃高到有效的时钟
WE＃高到ADV ＃高
WE＃高到ADV ＃低
ADV ＃高到WE＃低
时钟高到WE＃低
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
0
19
19
7
-
-
-
-
-
-
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1, 2, 3, 11
写同步读规格
写规格与时钟活动
擦除操作期间写时序特性暂停相同的只写操作。
写操作可以被终止CE＃或WE＃ 。
采样，未经100％测试。
写脉冲宽度低（T
WLWH
或T
ELEH
）从CE＃定义或WE ＃低（以先到为准
最后一个） ，以CE ＃或WE ＃高（以先到为准） 。因而，叔
WLWH
= t
ELEH
= t
WLEH
= t
ELWH
.
写脉冲宽度高（T
WHWL
或T
EHEL
）从CE＃定义或WE ＃高（ OC-为准
先小人），以CE ＃或WE ＃低（最后以先到为准） 。因而，叔
WHWL
= t
EHEL
= t
WHEL
= t
EHWL
).
t
WHVH
或T
界河/ L
从写周期转换到一个同步短脉冲串时，必须满足
读取。
V
PP
和WP ＃应为有效电平，直到擦除或编程的成功是确定的。
从写周期转变至一个asynchro-当本说明书只适用
理性的阅读。见规格W19和W20的同步读。
当执行读取操作的状态下是会改变现状的任何命令稳压
存器， W14为20纳秒。
PDF ： 09005aef84566799
p30_65nm_256Mb - 512mb.pdf - 版本A 1/13 EN
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