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PC28F256P30BFA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PC28F256P30BFA
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内容描述: 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器( P30-65nm ) [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 98 页 / 1366 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256MB和512MB (256 / 256MB ) , P30-65nm
巴士业务
巴士业务
CE#低和RST #高使读操作。该器件内部解码向上
每个地址输入以确定所访问的块。 ADV #低开的内部地址
礼服锁存器。 OE #为低电平时激活所选数据的输出和门上的I / O总线。
总线周期向/从设备符合标准的微处理器总线操作。公共汽车
操作和逻辑电平必须被施加到器件的控制信号输入端
在这里被示出。
表9 :公交运营
总线操作
异步
同步
输出禁用
待机
RESET
注意事项:
RST #
H
H
H
H
H
L
CLK
X
RUN-
X
X
X
X
ADV #
L
L
L
X
X
X
CE#
L
L
L
L
H
X
OE #
L
L
H
H
X
X
WE#
H
H
L
H
X
X
等待
撤除
驱动的
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DQ [15:0 ]
产量
产量
输入
高-Z
高-Z
高-Z
笔记
-
-
1
2
2
2, 3
1.参考设备命令总线周期的有效DQ [ 15 : 0 ]在写操作期间。
2. X = "Don't Care" ( H或L ) 。
3. RST #必须在V
SS
± 0.2V ,以满足规定的最大掉电电流。
要执行读操作, RST #和WE #必须撤除,而CE #和OE #
断言。 CE #是设备选择控制。当断言,它使该设备。 OE #
是数据输出控制。置位后,针对闪存的数据驱动
到I / O总线。
执行写入操作,无论CE #和WE #断言,而RST #和OE #是
去断言。在一个写操作中,地址和数据被锁存的上升沿
WE#或CE# ,先到为准。命令总线周期表显示总线
对于每个受支持的设备命令的周期序列,而命令代码
和定义表描述了每个命令。
注意:
写无效V操作
CC
和/或V的
PP
电压可产生杂散重
sults并且不应该尝试。
输出禁用
当OE #撤除,设备的输出DQ [ 15 : 0 ]被禁用,并放置在高Z
状态,等待也被放置在高阻抗。
待机
当CE#撤除该装置的选择取消,并置于待机,大大
降低功耗。在待机状态下,数据输出均处于高阻,不知疲倦
悬垂放置在OE#水平。待机电流(I
CCS
)是平均电流meas-
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