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PC28F256P30BFA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PC28F256P30BFA
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内容描述: 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器( P30-65nm ) [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 98 页 / 1366 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256MB和512MB (256 / 256MB ) , P30-65nm
特点
表2 : MCP产品编号信息
编号类别
详细分类
RD =美光MCP ,含铅
PF =美光MCP ,无铅
RC = 64球BGA简单,含铅
PC = 64球简易的BGA ,无铅
产品线
密度
产品系列
IO电压和芯片配置
只有48F =美光闪存
0 =无模
4 = 256Mb的
P =美光闪存( P30 )
0 =无模
Z =单个芯片使
V =虚拟芯片使
VCC = 1.7〜 2.0V ; VCCQ = 1.7〜 3.6V
参数位置
Ballout
光刻技术
特点
注意:
B / T =底部/顶部的参数
Q = QUAD +
0 =离散
E = 65纳米
*
1.最后的数字是随机分配以覆盖包装媒体,特征或其他特定配置Infor公司
息。样品部件号: RC48F4400P0VB0E *
表3 :离散和MCP组合部分
JS
密度
256Mb
包装媒体
TRAY
磁带和卷轴
TRAY
PC
256Mb
TRAY
磁带和卷轴
TRAY
512Mb
(256Mb/256Mb)
PF
256Mb
512Mb
(256Mb/256Mb)
TRAY
磁带和卷轴
TRAY
TRAY
TRAY
磁带和卷轴
B
T
B / T
T
B / T
T
B
引导配置
B
产品型号
JS28F256P30BFE
JS28F256P30BFF
JS28F256P30TFE
PC28F256P30BFE
PC28F256P30BFF
PC28F256P30TFE
PC48F4400P0VB0EE
PC48F4400P0VB0EF
PF48F4000P0ZBQEF
PF48F4000P0ZTQEJ
PF48F4400P0VBQEF
PF48F4400P0VBQEK
PDF : 09005aef84566799
p30_65nm_MLC_256Mb - 512mb.pdf - 版本C 12/13 EN
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