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PC28F256P30BFA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PC28F256P30BFA
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内容描述: 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器( P30-65nm ) [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 98 页 / 1366 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256MB和512MB (256 / 256MB ) , P30-65nm
方案业务
有了充足的连续性测试,编程设备可以依靠设备的IN-
ternal验证,以确保该设备已正确编程。这消除
外部后程序验证和其相关联的开销。
表14: BEFP要求
参数/问题
外壳温度
V
CC
V
PP
设置和确认
程序设计
需求
T
C
= 30°C ± 10°C
标称V
CC
驱动到V
PPH
目标块必须发出BEFP设置和确认命令之前解锁。
要编程的块的第一个字的地址( WA0 )必须保持为恒定
从通过洒进目标块中的所有数据的建立阶段,直至转变
到出口相是理想的。
WA0必须配合阵列缓冲区边界的开始。
注意:
1
笔记
缓冲区对齐
阵列中的1字缓冲器边界由最低9个地址位来确定( 0x000的
通过到0x1FF ) 。对准起点是0x000的。
表15 : BEFP注意事项
参数/问题
循环
暂停
需求
为了获得最佳性能,骑自行车必须低于每50块擦除周期是有限的。
BEFP不能暂停。
3
笔记
1
2
编程块BEFP程序一次一个块;所有的缓冲区中的数据必须落在一个单一的块中。
编程AR-编程到阵列可以在缓冲区满时才出现。
注意事项:
1.如果超出此限制,性能下降,可能会发生,但内部
算法继续正常工作。
2.如果超出块的最大地址内部地址计数器递增, AD-
敷料绕回到该块的开头。
3.如果字的数目是小于512 ,剩余的位置必须被填充为0xFFFF 。
BEFP安装阶段:
接到BEFP设置并确认命令后SE-
quence , SR7 (就绪)被清零,表示设备正忙于BEFP算法
启动。检查SR7前需要一定的延时,使设备有足够的时间为按照
构成它的所有设置和检查(块锁定状态,V
PP
水平,等等)。如果检测到错误,
SR4被设置和BEFP操作终止。如果该块被认为是锁定的, SR1是
还设立。 SR3设置,如果发生错误是由于不正确的V
PP
的水平。
注意:
在BEFP设置后,从设备中读取并确认命令SE-
quence输出状态寄存器的数据。不要发出读状态寄存器的COM
命令;它将被解释为数据加载到缓冲器中。
BEFP编程/校验阶段:
经过BEFP安装阶段完成后,主机亲
编程系统必须检查SR [ 7,0 ] ,确定写入缓冲区的可用性
数据流。 SR7清表示设备忙,且BEFP程序/ veri-
FY阶段被激活。 SR0指示写缓冲区可用。
两个基本序列重复在此阶段:装载写入缓冲区中,随后缓冲
数据编程到阵列中。对于BEFP ,对于缓冲器装载计数值是始终
PDF : 09005aef84566799
p30_65nm_MLC_256Mb - 512mb.pdf - 版本C 12/13 EN
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