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PC28F256P30BFA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PC28F256P30BFA
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内容描述: 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器( P30-65nm ) [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 98 页 / 1366 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256MB和512MB (256 / 256MB ) , P30-65nm
通用闪存接口
表25 :设备几何
(十六进制)
OFFSET
27h
28h
1
2
描述
n的字节数= 2的器件尺寸
n
.
闪存设备接口代码分配:N使得n + 1
指定的比特字段,它表示闪光灯装置宽度
功能如下所述:
位0: x8的
位1 : X16
位2 : X32
第3位: 64
位4 - 7 : -
位8 - 15 -
n,从而在写入缓冲区的最大字节数= 2的
n
.
擦除块的区域(x)的所述装置内的数:
1 ) X = 0表示没有擦除阻塞;设备擦除散装。
2) x指定与一个或多个器件区域的数量
连续的,同样大小的擦除块。
3 )对称受阻分区有一个阻挡区。
擦除块区域1信息:
位0 - 15 = Y,Y + 1 =相同大小的擦除块数。
位16 - 31 = Z,区域擦除块(多个)大小是ZX 256字节。
擦除块区域2的信息:
位0 - 15 = Y,Y + 1 =相同大小的擦除块数。
位16 - 31 = Z,区域擦除块(多个)大小是ZX 256字节。
保留为将来擦除块区域的信息。
地址
27:
28:
29:
- -01
- -00
(十六进制)
CODE
ASCII值
(DQ [7: 0])的
见注1
x16
2Ah
2Ch
2
1
2Ah
2Bh
2Ch
- -0A
- -00
1024
见注1
2Dh
4
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
35:
36:
37:
38:
见注1
31h
4
见注1
35h
4
见注1
注意:
1.见座地区地图信息表。
表26 :块区域地图信息
256Mb
地址
27:
28:
29:
2A:
2B:
2C:
2D:
底部
--19
--01
--00
--0A
--00
--02
--03
顶部
--19
--01
--00
--0A
--00
--02
--FE
地址
30:
31:
32:
33:
34:
35:
36:
底部
--00
--FE
--00
--00
--02
--00
--00
256Mb
顶部
--02
--03
--00
--80
--00
--00
--00
PDF : 09005aef84566799
p30_65nm_MLC_256Mb - 512mb.pdf - 版本C 12/13 EN
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