128MB， 256MB，512MB ，1GB的StrataFlash存储器
特点
美光科技公司的StrataFlash嵌入式存储器
P / N
P / N
P / N
P / N
–
–
–
–
PC28F128G18xx
PC28F256G18xx
PC28F512G18xx
PC28F00AG18xx
=电源
- 核心电压： 1.7 V - 2.0 V
- I / O电压： 1.7 V - 2.0 V
- 待机电流： 60
μA
（典型值）为512兆位， 65纳米
- 深度掉电模式： 2
μA
（典型值）
- 自动节能模式
- 16字同步突发读取电流： 23毫安
（典型值） @ 108 MHz的; 24毫安（典型值） @ 133 MHz的
•软件
•美光
®
闪存数据集成（ FDI）优化
- 基本命令集（ BCS ）和扩展的COM
命令集（ ECS ）兼容
- 通用闪存接口（ CFI ），能够
- 安全
- 一次性可编程（ OTP ）的空间
64唯一的工厂的设备标识符位
2112的用户可编程OTP位
- 绝对的写保护： V
PP
= GND
- 电源转换擦除/编程锁定
- 个人零延迟块锁定
- 单个块锁闭
•密度和包装
- 128MB， 256MB， 512Mbit和1千兆位
- 地址数据复用和非复
接口
• 64球BGA方便
特点
•高性能读取，编程和擦除
- 96 ns的最初的读访问
- 108 MHz的零等待状态同步突发
阅读： 7纳秒时钟到数据输出
- 133 MHz的零等待状态同步突发
内容如下： 5.5 ns的时钟到数据输出
- 8位，16位和连续的字同步爆
读和写
- 可编程等待配置
- 用户可配置的输出驱动器阻抗
- 缓冲编程： 2.0
μS/字
（典型值） ， 512-
Mbit的65纳米
- 块擦除：每块0.9秒（典型值）
–
20
μs
（典型值）编程/擦除暂停
•架构
- 16位宽的数据总线
- 多级单元技术
- 对称阻止阵列架构
- 256字节擦除块
- 1千兆位设备： 8个128 - Mbit的分区
- 512 - Mbit的器件： 8个64 - Mbit的分区
- 256 - Mbit的器件： 8个32 - Mbit的分区
- 128 - Mbit的器件：八16 - Mbit的分区
- 同时读 - 编程和读取操作，而擦除
- 针对分区/设备状态状态寄存器
- 空白检查功能
•质量和可靠性
- 扩展的温度：-30 ° C到+85°C
- 每块最少100,000次擦除周期
- 65纳米制程技术
PDF ： 09005aef8448483a
128_256_512_65nm_g18.pdf - 牧师˚F 8/11 EN
1
产品与这里讨论的规格如有美光更改，恕不另行通知。
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
©
2011美光科技公司保留所有权利。
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
