256MB和512MB （256 / 256MB ） ， P30-65nm
介绍
介绍
本文档提供了有关美光闪存信息（ P30-65nm ）
产品描述其功能，操作和规格。
Micron的闪存存储器（ P30-65nm ）是最新一代的快闪存储器装置。
P30-65nm设备将透过2Gb的密度可以在提供的64Mb 。本文cov-
ERS专门的256Mb和512Mb的（256 / 256MB ）的产品信息。好处在 -
CLUDE多密度在更小的空间，高速接口装置，以及用于代码的支持和
数据的存储。其特点包括高性能同步突发读取模式下，快速
异步访问时间，低功耗，灵活的安全选项，以及三个业界
标准封装选择。该P30-65nm产品系列采用美光制造
65纳米制程技术。
概观
本节提供的特征和P30-65nm的功能的概述。
该P30-65nm系列器件提供高性能低电压上的16位数据
总线。个别地擦除存储块的大小，以获得最佳的代码和数据的存储。
在初始上电或复位时的返回，设备默认为异步页级
模式读取。配置读取配置寄存器使能同步突发
模式读取。在同步脉冲串模式下，输出数据与用户支持同步
合股时钟信号。等待信号提供了方便CPU到闪存的同步。
除了增强的体系结构和接口，该设备采用了技
术，能够快速的工厂编程和擦除操作。适用于低电压
系统中， P30-65nm支持与V读操作
CC
在1.8 V和擦除和亲
克操作与V
PP
在1.8 V或9.0 V.缓冲增强工厂编程
（ BEFP ）提供最快的闪存阵列编程性能与V
PP
在9.0 V，
这增加了工厂的吞吐量。随着V
PP
在1.8 V ， VCC和VPP可以连在一起
一个简单的，超低功耗设计。除了电压灵活性，一个专用的VPP
连接提供了完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
A命令的用户界面（ CUI）为系统处理器和所有的接口
该装置的内部操作。内部写状态机（ WSM ）自动
执行所需的块擦除和编程的算法和时序。 A状态
寄存器表示擦除或编程完成和可能发生的任何错误。
行业标准的命令序列调用编程和擦除自动化。
每个擦除操作擦除一个块。擦除挂起功能允许系统软
洁具暂停擦除周期到另一个块读取或程序数据。程序可持
挂起允许系统软件编程暂停读取其他位置。数据是亲
编程中字递增（ 16位） 。
该P30-65nm保护寄存器允许独特的闪光装置的识别，可以
用来提高系统的安全性。个别块锁定功能提供零laten-
CY块锁定和解锁。该P30-65nm设备包括通过加强保护
密码访问;这项新功能允许写入和/或读取用户可访问保护
定义块。此外， P30-65nm设备还提供了全装置一步法
一次性可编程（ OTP ）安全功能。
PDF ： 09005aef84566799
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