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0405SC-1000M_10 参数 Datasheet PDF下载

0405SC-1000M_10图片预览
型号: 0405SC-1000M_10
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内容描述: 1000Watts ,电压125伏, AB类406 〜450 MHz的碳化硅SIT [1000Watts, 125 Volts, Class AB 406 to 450 MHz Silicon Carbide SIT]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 205 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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0405SC - 1000M F版
0405SC-1000M
1000Watts ,电压125伏, AB类
406至450兆赫
碳化硅SIT
初步speci fi cation
概述
该0405SC - 1000M是
共栅N沟道AB类硅
硬质合金静电感应晶体管( SIT)
能够
提供瓦RF 1000的功率从406到450兆赫。晶体管是
设计用于大功率放大器使用的配套应用,如UHF
气象雷达和远距离跟踪雷达。
该装置是除
一系列高功率碳化硅从Microsemi的PPG晶体管。
案例外形
55ST FET
(普通门)
绝对最大额定值
电压和电流
漏源(V
DSS
)
门源(V
GS
)
温度
储存温度
工作结温
250V
-1V
-65到+ 150°C
+250°C
电气特性@ 25°C
符号
I
DSS
I
GSS
θ
JC1
特征
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
热阻
测试条件
V
GS
= -20V, V
DG
= 125V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
典型值
最大
750
50
0.15
单位
µA
µA
摄氏度/ W
功能特性@ 25 ° C, VDD = 125V ,我
DQ ( AVE )
= 250毫安,频率= 406 , 425 , 450兆赫,
G
PG
P
in
η
d
ψ
宝+ 1分贝
VGS
F版2010年5月
共栅极功率增益
输入功率
漏EF网络效率
负载不匹配
输出功率 - 高驱动
门源电压
P
OUT
= 1000瓦,脉冲
脉冲宽度= 300US , DF = 10%
F = 450兆赫,P
OUT
=1000W
F = 406兆赫,P
OUT
= 1000W
F = 450兆赫,引脚= 180W的
设置IDQ ( AVE ) = 150毫安
8
50
8.5
140
155
10:1
dB
W
%
W
1100
3.0
10.0
Microsemi的PPG公司保留更改的权利,恕不另行通知,规格和信息所包含。
请访问我们的网站,网址
www.microsemi..com
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