1N5614 THRU 1N5622
无空隙，密闭
标准恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
该“标准恢复”整流二极管系列军事符合MIL - PRF-
四百二十七分之一万九千五，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的1.0安培额定整流器的工作高峰期
从200至1000伏的反向电压是密封用voidless-
使用内部的“ I类”的冶金结合的玻璃建筑。这些
器件还提供表面贴装MELF封装配置由
添加一个“美”的后缀（见通1N5622US单独的数据表1N5614US ） 。
Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高和更低
额定电流与各种恢复时间速度的要求，包括快速和
在超快设备类型都通孔和表面安装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
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热门JEDEC注册1N5614 1N5622到系列
无空隙密封的玻璃封装
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
工作峰值反向电压200到1000伏。
JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-
PRF-19500/427
表面还可以在一个广场安装当量
端盖与“美”的后缀MELF配置（请参阅
单独的数据表1N5614US直通1N5622US ）
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应用/优势
标准恢复1安培整流器200〜 1000 V
军事和其它高可靠性应用
一般整流应用，包括桥梁，半
桥梁，钳位二极管等。
高正向浪涌电流能力
极其坚固的结构
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
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结&存储温度： -65
o
C至+200
o
C
热电阻： 38
o
C / W交界处领导在3/8
英寸（10毫米）的车身长度铅
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向平均整流电流（I
O
） ： 1.0安培@
T
A
= 55℃和0.75安培@ T
A
= 100ºC
正向浪涌电流： 30安培@ 8.3 ms半正弦波
焊接温度： 260℃ 10秒（最大）
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机械及包装
案例：全密封无空隙硬玻璃
钨蛞蝓（最后一页的封装尺寸）
终端负载：轴向引线铜
锡/铅（Sn / Pb）的表面。注：上JANS
库存有实心银轴向引线，没有终点。
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极频带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
反向
当前
（ MAX 。 ）
I
R
@ V
RWM
μA
25 C
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
o
o
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电气特性
TYPE
工作
PEAK
反向
电压V
RWM
伏
1N5614
1N5616
1N5618
1N5620
1N5622
200
400
600
800
1000
最低
击穿
电压
V
BR
@ 50μA
伏
220
440
660
880
1100
平均
纠正
当前
I
O
@ T
A
（注1 ）
安培
o
o
55 C
100 C
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
1.00
.750
前锋
电压
（ MAX 。 ）
V
F
@ 3A
伏
最大
浪涌
当前
I
FSM
（注2 ）
安培
30
30
30
30
30
反向
恢复
（注3）
t
rr
μs
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
1N5614 – 1N5622
0.8分钟。
1.3最大。
100 C
25
25
25
25
25
注1 ：
从1安培在T
A
= 55
o
C，线性降额在5.56毫安/
o
C到0.75安培在T
A
= 100
o
C.从T
A
= 100
o
C,
线性降额7.5毫安/
o
C到0安培在T
A
= 200
o
C.这些环境的评级是用于PC板，其中热
从安装点到环境电阻被充分控制的，其中T
J（下最大）
不超过175
o
C.
注2 ：
T
A
= 100
o
C，F = 60Hz时，我
O
= 750 mA时10 8.3毫秒潮@ 1分钟的时间间隔
注3 ：
I
F
= 0.5A ，我
RM
= 1A ，我
R（ REC ）
= 0.250A
版权
©
2007
2007年1月15日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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