1N5807US通1N5811US
表面安装VOIDLESS-
密闭ULTRA FAST
回收玻璃整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”表面贴装整流二极管系列军事资格
MIL -PRF-四百七十七分之一万九千五百，非常适合高可靠性应用中的故障
不能被容忍的。这些行业公认的6.0安培额定整流器的工作
从50到150伏特峰值反向电压被气密密封voidless-
使用内部的“ I类”的冶金结合的玻璃建筑。这些设备
也可在轴向引线封装配置（参见单独的数据表
对于1N5807 1N5811直通） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品
为满足较高和较低的电流额定值与各种恢复时间速
要求，包括标准，快速和超快的设备类型均吞吐量
孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
包“ E”
或D -5B
特点
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表面贴装型封装系列等同于
JEDEC注册1N5807 1N5811到系列
无空隙，气密密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV ，并提供JANS每MIL-
PRF-19500/477
轴向引线当量也可（参见单独的
数据表1N5807 1N5811直通）
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应用/优势
超快恢复6安培整流器系列50至150 V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
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工作温度： -65
o
C至+175
o
C.
存储温度： -65
o
C至+175
o
C.
正向平均整流电流（I
O
） ： 6安培@
T
EC
= 75℃端盖温度（见注1 ）
热电阻： 10℃ / W结到端盖
热阻抗： 1.5 ºC / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流（ 8.3 ms半正弦波） 125安培
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
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机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
端子：端盖固与银
锡/铅（Sn / Pb）的光洁度
只有阴极乐队：标记&极性
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
重量： 539毫克
请参阅封装尺寸，并建议垫
最后一页布局
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
µA
o
25 C 100 C
5
150
o
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
1N5807US
1N5809US
50
100
击穿
电压
（分）
@ 100µA
V
BR
伏
60
110
平均
纠正
当前
I
O1
@T
EC
=75
º
C
（注1 ）
安培
6.0
6.0
平均
纠正
当前
I
O2
@T
A
=55
º
C
（注2 ）
安培
3.0
3.0
最大
前锋
电压
@4A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
25 C
100 C
0.875
0.800
o
TYPE
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
安培
125
125
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
30
30
1N5807US–1N5811US
0.875
0.800
5
150
1N5811US
150
160
6.0
3.0
0.875
0.800
5
150
125
30
注1 ：
额定在T
EC
= 75℃ 。减额在60毫安/ ºC对于T
EC
75℃以上
注2 ：
线性降额在25毫安/ ºC以上牛逼
A
= 55℃ 。该评级是典型的PC板，其中热阻从安装点
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175 ℃的
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 3.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 1.0 A，I
RM
= 1.0 A,
I
R（ REC ）
= 0.10和di / dt = 100 A / μs的分
版权
2004
2005年1月14日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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