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型号: 1N914
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内容描述: 硅开关二极管DO- 35玻璃封装 [Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package]
分类和应用: 二极管开关
文件页数/大小: 1 页 / 67 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
   
硅开关二极管
1N914
or
1N914-1
DO- 35玻璃封装
应用
特点
用于一般目的的应用,其中的性能和开关
速度是重要的。
DO- 35玻璃封装
六西格玛质量
冶金结合
BKC的σ键电镀™
对于无故障的可焊性
LL -三十五分之三十四MELF SMD提供
全部批准MIL-S-一百十六分之一万九千五
提供高达JANTXV水平
"S"级筛选可用的SCD
最大额定值
峰值反向电压
平均整流电流
连续正向电流
峰值浪涌电流(T
PEAK
= 1秒)。
功率耗散@ T
L
=50
o
C,L = 8"分之3从主体
存储&工作温度范围
电气特性@ 25
o
C*
击穿电压@ IR = 0.1毫安
反向漏电流@ V
R
= 20 V
反向泄漏( VR = 20 V , 150
o
C)
反向漏电流@ V
R
= 75 V
电容@ V
R
= 0 V , F = 1mHz的
反向恢复时间(注1 )
正向恢复时间(注2 )
符号
PIV
I
R
I
R
I
R
C
T
t
rr
V
fr
L的DDA 。
e
i
0.1 - 。 2 "
0 80 0 2
0. 5 - . 5 m m
4 80 5 8
1.0"
25.4 mm
(分)
0.120-.200"
3.05-5.08-
m
DIA 。
0.06-0.09"
m
15 - . 8m m
. 322
符号
PIV
I
AVG
I
FDC
I
PEAK
P
合计
T
圣&作品
价值
100 (分)
75
300
0.5
250
-65到+200
单位
毫安
毫安
AMP
毫瓦
o
C
绝对的限制
100(分钟)
0.025 (MAX)中
50 (MAX)
5.0 (最大)
4.0 (MAX)
4.0 (MAX)
2.5 (最大)
单位
µA
µA
µA
pF
纳秒
注1 :我
F
= 10毫安,R
L
= 100欧姆, Vr为6.0伏特,内部收益率= 1.0毫安
注2 :我
F
= 50毫安DC
*除非
另有规定编
6湖街 - 劳伦斯, MA 01841
电话: 978-681-0392 - 传真: 978-681-9135