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2N1711 参数 Datasheet PDF下载

2N1711图片预览
型号: 2N1711
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内容描述: NPN小功率硅晶体管 [NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 55 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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技术参数
NPN小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-二百二十五分之一万九千五
器件
2N1711
2N1890
资质等级
JAN
JANTX
最大额定值
评级
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
J
,
T
英镑
符号
Z
θ
JX
2N1711
75
2N1890
100
单位
VDC
VDC
MADC
W
W
0
C
单位
C / W
@ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
操作&存储结温范围
7.0
500
0.8
3.0
-65到+200
马克斯。
58
热特性
特征
热阻抗
1 )减额线性4.57毫瓦/
0
Ç对于T
A
& GT ; 25
0
C
2 )线性降额17.2毫瓦/
0
Ç对于T
C
& GT ; 25
0
C
0
TO-5*
*请参阅附录A包
概要
电气特性(T
A
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
μAdc
集电极 - 发射极击穿电压
R
BE
= 10
Ω,
I
C
= 100 MADC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30 MADC
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100
μAdc
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 60 VDC
V
CB
= 80伏直流
发射基截止电流
V
EB
= 5.0伏
2N1711 ,S
2N1890 ,S
2N1711 ,S
2N1890 ,S
2N1711 ,S
2N1890 ,S
V
( BR )
CBO
75
100
50
80
30
60
7.0
10
10
5.0
VDC
V
( BR )
CER
VDC
V
( BR )
首席执行官
VDC
V
( BR )
EBO
2N1711
2N1890
I
CBO
I
EBO
VDC
μAdc
μAdc
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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