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    2N2484 参数 Datasheet PDF下载

    2N2484图片预览
    型号： 2N2484
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅低功率晶体管 [NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管放大器PC
    文件页数/大小： 2 页 / 215 K
    品牌： MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
     浏览型号2N2484的Datasheet PDF文件第1页  
    2N2484
    硅NPN晶体管
    数据表
    电气特性
    在T规定的特性
    A
    = 25°C
    开关特性
    参数
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极 - 基极截止电流
    集电极 - 发射极截止电流
    集电极 - 发射极截止电流
    发射基截止电流
    基本特征
    参数
    符号
    V
    （ BR ） CEO
    I
    CBO1
    I
    CBO2
    I
    CBO3
    I
    首席执行官
    I
    CES
    I
    EBO1
    I
    EBO2
    符号
    h
    FE1
    h
    FE2
    h
    FE3
    h
    FE4
    h
    FE5
    h
    FE6
    h
    FE7
    V
    BE
    V
    CEsat1
    符号
    |h
    FE
    |
    1
    |h
    FE
    |
    2
    h
    FE
    C
    敖包
    C
    IBO
    测试条件
    I
    C
    = 10毫安
    V
    CB
    = 60伏
    V
    CB
    = 45伏
    V
    CB
    = 45伏，T
    A
    = 150°C
    V
    CE
    = 5伏
    V
    CE
    = 45伏
    V
    EB
    = 6伏
    V
    EB
    = 5伏
    测试条件
    I
    C
    = 1
    µA,
    V
    CE
    = 5伏
    I
    C
    = 10
    µA,
    V
    CE
    = 5伏
    I
    C
    = 100
    µA,
    V
    CE
    = 5伏
    I
    C
    = 500
    µA,
    V
    CE
    = 5伏
    I
    C
    = 1毫安， V
    CE
    = 5伏
    I
    C
    = 10 mA时， V
    CE
    = 5伏
    I
    C
    = 10
    µA,
    V
    CE
    = 5伏
    T
    A
    = -55°C
    V
    CE
    = 5伏， 100
    µA
    I
    C
    = 1毫安，我
    B
    = 100
    µA
    测试条件
    V
    CE
    = 5伏，我
    C
    = 50
    µA,
    F = 5兆赫
    V
    CE
    = 5伏，我
    C
    = 500
    µA,
    F = 30 MHz的
    V
    CE
    = 5伏，我
    C
    = 1毫安，
    F = 1千赫
    V
    CB
    = 5伏，我
    E
    = 0 mA时，
    100千赫< ˚F < 1兆赫
    V
    EB
    = 0.5伏特，我
    C
    = 0 mA时，
    100千赫< ˚F < 1兆赫
    V
    CE
    = 5伏，我
    C
    = 10
    µA,
    R
    g
    = 10 kΩ
    F = 100赫兹
    F = 1千赫
    F = 10千赫
    V
    CE
    = 5伏，我
    C
    = 10
    µA,
    R
    g
    = 10 kΩ,
    为10Hz <噪声带宽<15.7kHz
    V
    CB
    = 5V ，我
    C
    = 1mA时， F = 1kHz时
    民
    60
    典型值
    最大
    10
    5
    10
    2
    5
    10
    2
    单位
    伏
    µA
    nA
    µA
    nA
    nA
    µA
    nA
    单位
    脉冲测试：脉冲宽度= 300
    µs,
    占空比
    ≤
    2.0%
    民
    45
    200
    225
    250
    250
    225
    35
    0.5
    典型值
    最大
    500
    675
    800
    800
    800
    直流电流增益
    基射极电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    动态特性
    参数
    震级 - 共发射极，短
    电路正向电流传输比
    小信号短路正向
    电流传输比
    开路输出电容
    开路输入电容
    0.7
    0.3
    典型值
    最大
    伏
    伏
    单位
    民
    3
    2
    250
    7
    900
    5
    6
    pF
    pF
    噪声系数
    NF
    1
    NF
    2
    NF
    3
    NF
    4
    h
    ie
    h
    oe
    h
    re
    7.5
    3
    2
    3
    24
    40
    8x10
    -4
    dB
    噪声系数（宽带）
    短路输入阻抗
    开路输出导纳
    开路冯伏传递比
    Copyright 2002年
    牧师˚F
    dB
    kΩ
    μmhos
    3.5
    Semicoa半导体公司
    麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
    第2页2
    www.SEMICOA.com

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