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2N2905A 参数 Datasheet PDF下载

2N2905A图片预览
型号: 2N2905A
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内容描述: PNP开关硅晶体管 [PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 159 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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技术数据表
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 620-2600 /传真: ( 978 ) 689-0803
网址:http : //www.microsemi.com
戈特路商业园,恩尼斯,公司克莱尔,爱尔兰
联系电话: +353 ( 0 ) 65 6840044传真: +353 ( 0 ) 65 6822298
电气特性
(T
A
= + 25 ℃,除非另有说明) (续)
参数/测试条件
ON CHARACTERTICS
(3)
正向电流传输比
I
C
= 0.1mAdc ,V
CE
= 10V直流
2N2904
2N2905
2N2904A , 2N2904AL
2N2905A , 2N2905AL
2N2904
2N2905
2N2904A , 2N2904AL
2N2905A , 2N2905AL
2N2904
2N2905
2N2904A , 2N2904AL
2N2905A , 2N2905AL
2N2904 , 2N2904A / AL
2N2905 , 2N2905A / AL
2N2904
2N2905
2N2904A , 2N2904AL
2N2905A , 2N2905AL
h
FE
20
35
40
75
25
50
40
100
35
75
40
100
40
100
20
30
40
50
120
300
175
450
175
450
符号
分钟。
马克斯。
单位
I
C
= 1.0mAdc ,V
CE
= 10V直流
I
C
= 10mAdc ,V
CE
= 10V直流
I
C
= 150mAdc ,V
CE
= 10V直流
I
C
= 500mAdc ,V
CE
= 10V直流
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 150mAdc ,我
B
= 15mAdc
I
C
= 500mAdc ,我
B
= 50mAdc
基射极饱和电压
I
C
= 150毫安,我
B
= 15mAdc
I
C
= 500毫安,我
B
= 50mAdc
V
CE ( SAT )
0.4
1.6
VDC
V
BE ( SAT )
1.3
2.6
VDC
T4 - LDS - 0186修订版1( 101764 )
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