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2N4416A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N4416A
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内容描述: N沟道J- FET [N-CHANNEL J-FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 51 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
 浏览型号2N4416A的Datasheet PDF文件第2页  
技术参数
N沟道J- FET
每个合格的MIL -PRF-四百二十八分之一万九千五
器件
2N4416A
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
参数/测试条件
栅源电压
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅电流
功耗
T
A
= +25
0
C
(1)
工作结&存储温度范围
(1)降容线性1.7毫瓦/
0
Ç对于T
A
> +25
0
C.
符号
V
GS
V
DS
V
DG
I
G
P
T
T
op
, T
英镑
2N4416A
-35
35
35
10
300
-65到+200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mWdc
0
C
TO-72*
(TO-206AF)
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
A
= +25
0
C除非另有说明)
参数/测试条件
符号
分钟。
栅源击穿电压
V
( BR ) GSS
-35
V
DS
= 0, I
G
= 1.0
μAdc
门反向电流
V
DS
= 0, V
GS
= 20伏直流
I
GSS
漏电流
V
DS
± 15 VDC
I
DSS
马克斯。
单位
VDC
-0.1
15
-5.5
-6.0
1
μAdc
MADC
5
-1
-2.5
栅源电压
V
DS
= 15 VDC ,我
D
= 0.5 MADC
栅源截止电压
V
DS
= 15 VDC ,我
D
= 1.0
μAdc
门源正向电压
V
DS
= 0伏,我
G
= 1.0 MADC
V
GS
V
GS ( OFF )
V
GSF
VDC
VDC
VDC
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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