技术数据表
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NPN小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百零一分之一万九千五百
器件
水平
2N918
2N918UB
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= +25°C
(1)
操作&存储结温范围
注意：
1 ）减额线性1.14mW / ° C以上牛逼
A
> 25℃
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 3mAdc
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30V直流
V
CB
= 25VDC
V
CB
= 25VDC ;牛逼
A
= +150°C
发射基截止电流
V
EB
= 3.0VDC
V
EB
= 2.5VDC
正向电流传输比
I
C
= 0.5mAdc ，V
CE
= 10V直流
I
C
= 3.0mAdc ，V
CE
= 1.0VDC
I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 10V直流
I
C
= 3.0mAdc ，V
CE
= 1.0VDC ;牛逼
A
= -55°C
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10mAdc ，我
B
= 1.0mAdc
基射极电压
I
C
= 10mAdc ，我
B
= 1.0mAdc
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
V
（ BR ） CEO
15
1.0
10
1.0
10
10
10
20
20
10
0.4
1.0
VDC
VDC
200
VDC
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
符号
分钟。
马克斯。
单位
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
＆放大器;牛逼
英镑
价值
15
30
3.0
50
200
-65到+200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
°C
TO-72
2N918
I
CBO
3针
2N918UB
I
EBO
T4 - LDS -0010第3版（ 101342 ）
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MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
