2N3954
单片双
N沟道JFET
该2N3954是一款低噪声，低漂移，单片双N沟道JFET
该2N3954系列是为匹配JFET对
差分放大器。该2N3954系列通用
目的JFET的特点是低中
高频差分放大器要求低失调
电压漂移，噪声和电容
该2N3954系列具有低电容 - 为6.0pF最大
和斑点噪声系数 - 0.5分贝最大。部分报价
卓越的跟踪能力。
8引脚P- DIP和8引脚SOIC提供方便
制造，并且对称引出线防止
不正确的方向。
（见包装信息） 。
特点是什么？
低漂移
低漏
低噪声
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted)
|∆ V
GS1‐2
/∆T|= 5µV/°C max.
I
G
= 20pA TYP.
e
n
= 10nV/√Hz TYP.
2N3954应用范围：
宽带差分放大器
高输入阻抗放大器
最高温度
储存温度
‐65°C to +200°C
工作结温
+150°C
Maximum Voltage and Current for Each Transistor – Note 1
‐V
GSS
栅极电压漏极或源极
60V
‐V
DSO
漏源极电压
60V
‐I
G（ F）
门正向电流
50mA
最大功率耗散
Device Dissipation @ Free Air – Total 400mW @ 25°C
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED
SYMBOL
特征值单位条件
| V
GS1‐2
/ T | MAX 。
漂移VS.
10
μV/°C V
DG
=20V, I
D
=200µA
温度是多少？
T
A
=‐55°C to +125°C
| V
GS1‐2
|最大。
失调电压
5
mV
V
DG
=20V, I
D
=200µA
马克斯。
‐‐
4.5
4
50
50
‐‐
100
5
1
0.1
‐‐
‐‐
0.5
15
6
2
‐‐
单位“
V
V
V
pA
nA
pA
pA
μmho
μmho
μmho
dB
dB
dB
内华达州/ √Hz的
pF
pF
pF
条件“
V
DS
= 0 I
D
=1µA
S
= 0
= 0V
V
DS
= 20V I
D
= 1nA
V
DS
=20V I
D
=200µA
V
DG
= 20V I
D
= 200µA
T
A
= +125°C
V
DG
= 10V I
D
= 200µA
V
DG
= 20V V
DS
= 0
V
DG
= 20V V
GS
= 0V
V
DG
= 20V I
D
= 200µA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特色」
分钟。
（典型值） *
BV
GSS
击穿电压
60
‐‐
BV
GGO
Y
FSS
Y
fS
|Y
FS1‐2
/ Y
FS
I
DSS
|I
DSS1‐2
/ I
DSS
栅极电压
V
GS
（关闭）或V
p
夹断电压
1
2
V
GS
（上）
工作范围
0.5
‐‐
栅极电流
‐I
G
经营？
‐‐
20
‐I
G
高温
‐‐
‐‐
‐I
G
降低V
DG
‐‐
5
‐I
GSS
在全导通
‐‐
‐‐
输出电导
Y
OSS
全导
‐‐
‐‐
Y
OS
经营？
‐‐
0.1
|Y
OS1‐2
|
微分
‐‐
0.01
共模抑制
CMR刀
‐20 log | V
GS1‐2
/ V
DS
|
‐‐
100
CMR刀
‐20 log | V
GS1‐2
/ V
DS
|
‐‐
75
NOISE
NF
身材
‐‐
‐‐
e
n
电压是多少？
‐‐
‐‐
Capacitance
C
国际空间站
输入 -
‐‐
‐‐
C
RSS
反向传输
‐‐
‐‐
C
DD
漏漏
‐‐
0.1
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
∆V
DS
= 10 to 20V I
D
=200µA
∆V
DS
= 5 to 10V I
D
=200µA
V
DS
= 20V V
GS
= 0V R
G
= 10MΩ
f= 100Hz NBW= 6Hz
V
DS
=20V I
D
=200µA f=10Hz NBW=1Hz
V
DS
= 20V V
GS
= 0V f= 1MHz
V
DG
= 20V I
D
= 200µA
PDIP / SOIC （顶视图）
可用的软件包：
2N3954的PDIP / SOIC
2N3954可用裸片
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