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2N4351 参数 Datasheet PDF下载

2N4351图片预览
型号: 2N4351
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内容描述: 增强型N沟道场效应管 [an enhancement mode N-Channel Mosfet]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 310 K
品牌: MICROSS [ MICROSS COMPONENTS ]
   
2N4351
N沟道MOSFET
的2N4351是一个增强型N沟道场效应管
的2N4351是一个增强型N沟道
MOSFET设计用作通用放大器
或交换机
所述密封TO -72封装,非常适合
高可靠性和恶劣环境下的应用。
(见包装信息) 。
特点是什么?
DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 2N4351 
高漏极电流
高增益
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted) 
I
D
= 100mA
 
g
fS
= 1000µS 
最高温度
储存温度
工作结温
2N4351特点:
最大功率耗散
连续功率耗散
低导通电阻
最大电流
低电容
Drain to Source (Note 1) 
高增益
最大电压不
高栅极击穿电压
漏体
低阈值电压
漏极至源极
Peak Gate to Source (Note 2) 
2N4351 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
(典型值) *
MAX`
单位“
BV
DSS
 
漏极至源极击穿电压
25 
‐‐ 
‐‐ 
 
V
DS ( ON)
 
漏源“开”电压
‐‐ 
‐‐ 
V
GS ( TH)
 
门源阈值电压
‐‐ 
I
GSS
 
栅极泄漏电流
‐‐ 
‐‐ 
10 
pA 
I
DSS
 
I
D(上)
 
g
fs
 
r
DS ( ON)
 
‐65°C to +200°C 
‐55°C to +150°C 
375mW 
100mA 
25V 
25V 
±125V 
条件“
I
= 10µA,   V
GS
 = 0V 
                   I
= 2mA,   V
GS
 = 10V 
V
DS
 = 10V,    I
= 10µA 
V
GS 
= ±30V,   V
DS
 = 0V 
C
RSS
 
C
国际空间站
 
C
db
 
 
 
 
 
 
 
 
开关特性时序波形
SYMBOL
特点】
MAX`
单位“
t
D(上)
 
导通延迟时间
45 
 
ns 
t
r
 
开启上升时间
65 
t
D(关闭)
 
关闭延迟时间
60 
t
f
 
关闭下降时间
100 
 
 
 
 
切换测试电路
可用的软件包:
2N4351的TO- 72
2N4351裸片。
TO- 72 (底视图)
Note 1 ‐ Absolute maximum ratings are limiting values above which 2N4351 serviceability may be impaired. 
Note 2 ‐ Device must not be tested at ±125V more than once or longer than 300ms.
Micross组件欧洲
电话:+44 1603 788967
电子邮件:
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网址:
http://www.micross.com/distribution
请联系Micross全
包装及模具尺寸
*身体绑案
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