2N4351
N沟道MOSFET
的2N4351是一个增强型N沟道场效应管
的2N4351是一个增强型N沟道
MOSFET设计用作通用放大器
或交换机
所述密封TO -72封装,非常适合
高可靠性和恶劣环境下的应用。
(见包装信息) 。
特点是什么?
DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 2N4351
高漏极电流
高增益
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted)
I
D
= 100mA
g
fS
= 1000µS
最高温度
储存温度
工作结温
2N4351特点:
最大功率耗散
连续功率耗散
低导通电阻
最大电流
低电容
Drain to Source (Note 1)
高增益
最大电压不
高栅极击穿电压
漏体
低阈值电压
漏极至源极
Peak Gate to Source (Note 2)
2N4351 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
(典型值) *
MAX`
单位“
BV
DSS
漏极至源极击穿电压
25
‐‐
‐‐
V
V
DS ( ON)
漏源“开”电压
‐‐
‐‐
1
V
GS ( TH)
门源阈值电压
1
‐‐
5
I
GSS
栅极泄漏电流
‐‐
‐‐
10
pA
I
DSS
I
D(上)
g
fs
r
DS ( ON)
‐65°C to +200°C
‐55°C to +150°C
375mW
100mA
25V
25V
±125V
条件“
I
D
= 10µA, V
GS
= 0V
I
D
= 2mA, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V, I
D
= 10µA
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V
C
RSS
C
国际空间站
C
db
开关特性时序波形
SYMBOL
特点】
MAX`
单位“
t
D(上)
导通延迟时间
45
ns
t
r
开启上升时间
65
t
D(关闭)
关闭延迟时间
60
t
f
关闭下降时间
100
切换测试电路
可用的软件包:
2N4351的TO- 72
2N4351裸片。
TO- 72 (底视图)
Note 1 ‐ Absolute maximum ratings are limiting values above which 2N4351 serviceability may be impaired.
Note 2 ‐ Device must not be tested at ±125V more than once or longer than 300ms.
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