2N4391
单N沟道JFET开关
线性系统替换停产的Siliconix 2N4391
特点是什么?
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX 2N4391
低导通电阻
r
DS ( ON) =
≤ 30Ω
低栅工作电流
I
D(关闭)
= 5pA
快速开关
t
(上)
≤= 15ns
2N4391优点:
1
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted)
低电压错误
最高温度
高速模拟电路的性能
储存温度
‐65°C to +200°C
可以忽略不计“关错误”,出色的精度
良好的频率响应,低毛刺
工作结温
‐55°C to +200°C
消除了额外的缓冲
最大功率耗散
连续功率耗散
1800mW
2N4391应用范围:
最大电流
模拟开关
Gate Current (Note 1)
I
G
= 50mA
菜刀,
采样和保持
最大电压不
通常情况下“开”开关,限流器
栅漏电压/门源电压
‐40V
2N4391 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
(典型值) *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
门源击穿电压
‐40
‐‐
‐‐
I
G
= ‐1µA, V
DS
= 0V
V
V
GS ( OFF )
门源截止电压
‐4
‐‐
‐10
V
DS
= 20V, I
D
= 1nA
V
GS ( F)
门源正向电压
‐‐
0.7
1
I
G
= 1mA, V
DS
= 0V
V
DS ( ON)
漏极至源极电压上
‐‐
0.25
‐‐
V
GS
= 0V, I
D
= 3mA
V
DS ( ON)
漏极至源极电压上
‐‐
0.3
‐‐
V
GS
= 0V, I
D
= 6mA
V
DS ( ON)
漏极至源极电压上
‐‐
0.35
0.4
V
GS
= 0V, I
D
= 12mA
2
I
DSS
漏极至源极饱和电流
50
‐‐
150
mA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
I
GSS
门反向电流
‐‐
‐5
‐100
V
GS
= ‐20V, V
DS
= 0V
I
G
I
D(关闭)
r
DS ( ON)
2N4391 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
该2N4391拥有许多优越的
JFET的特性,这使得它一个很好的选择
为要求苛刻的模拟开关应用以及
专业功放电路。
g
fs
g
os
r
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
C
RSS
C
RSS
e
n
SYMBOL
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
等效输入噪声电压
特点】
启动时间
关闭时间
正向跨导
输出电导
输入电容
反向传输电容
6
‐‐
‐‐
mS
µS
Ω
pF
25
‐‐
12
3.3
3.2
2.8
3
TYP †
2
2
6
13
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
MIN †
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
漏极至源极导通电阻
‐‐
30
14
‐‐
‐‐
3.5
‐‐
MAX`
15
5
20
15
内华达州/ √Hz的
单位“
ns
条件“
V
DS
= 20V, I
D
= 1mA, f = 1kHz
V
DS
= 20V, I
D
= 1mA, f = 1kHz
V
GS
= 0V, I
D
= 0A, f = 1kHz
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V, f = 1MHz
V
DS
= 0V, V
GS
= ‐5V, f = 1MHz
V
DS
= 0V, V
GS
= ‐7V, f = 1MHz
V
DS
= 0V, V
GS
= ‐12V, f = 1MHz
V
DS
= 10V, I
D
= 10mA, f = 1kHz
2N4391 SWITCHING ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
V
DD
= 10V, V
GS (H )
= 0V
注:1。绝对额定值的限制值,超过该适用性可能受到损害
2.脉冲测试: PW ≤ 300μS ,占空比≤ 3 %
2N4391 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS SWITCHING CIRCUIT
V
GS ( L)
‐12V
TO- 18 (底视图)
R
L
800Ω
I
D(上)
12mA
可用的软件包:
2N4391的TO- 18
2N4391裸片。
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