2N4416
N沟道JFET
线性系统替换停产的Siliconix 2N4416
该2N4416是一个N沟道高频JFET放大器
该2N4416
N沟道JFET的目的是提供
在高频率下的高性能放大。
所述密封TO -72封装，非常适合
对于军事应用。
在TO- 92封装提供了一个
降低成本的商业选项
特点是什么？
DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX 2N4416
EXCEPTIONAL GAIN (400 MHz)
VERY LOW NOISE FIGURE (400 MHz)
非常低的失真
高AC / DC开关关断隔离
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
Gate Current (Note 1)
最大电压不
栅漏或门源
10dB (min)
4dB (max)
2N4416优点：
宽带高增益
非常高的系统灵敏度
扩增的高品质
高速交换能力
高低电平信号放大
‐65°C to +200°C
‐55°C to +135°C
300mW
10mA
‐30V
2N4416应用范围：
高频放大器/混频器
振荡器
采样和保持
非常低电容开关
2N4416 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
I
GSS
g
fs
g
os
C
国际空间站
2
C
RSS
逆转？转移？容
‐‐
‐‐
4
pF
C
OSS
输出电容
2
‐‐
‐‐
2
pF
e
n
等效输入噪声电压
‐‐
6
‐‐
内华达州/ √Hz的
2N4416 HIGH FREQUENCY ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
100 Mhz
400 Mhz
单位“
MIN †
MAX`
MIN †
MAX`
g
国际空间站
b
国际空间站
g
OSS
b
OSS
G
fs
G
ps
NF
注。
输入电导
输入电纳
输出电导
输出电纳
正向跨导
功率增益
噪声系数
2
2
2
2
条件“
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
18
‐‐
100
2500
75
1000
‐‐
‐‐
2
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
4000
10
‐‐
1000
10000
100
4000
‐‐
‐‐
4
dB
µS
1 . Absolute maximum ratings are limiting values above which 2N4416 serviceability may be impaired.
2. Not production tested, guaranteed by design
可用的软件包：
2N4416的TO- 72
2N4416的TO- 92
2N4416裸片。
TO- 72 （底视图）
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V, f = 1MHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V, f = 1kHz
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
DS
= 15V, I
D
= 5mA
V
DS
= 15V, I
D
= 5mA, R
G
= 1kΩ
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TO- 92 （底视图）
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