2N5907
低噪声，低漂移
单片双
N沟道JFET
的2N5907是一个高性能的单片双
JFET具有严格匹配，低漂移
温度规格，是针对在使用
广泛的精密仪器仪表应用
其中，紧跟踪是必须的。
所述密封TO -78封装，非常适合
高新可靠性和恶劣环境下的应用。
（见包装信息） 。
特点是什么？
低漂移
超低漏电
LOW夹断
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted)
| V
GS1‐2
/ T| = 5µV/°C TYP.
I
G
= 150fA TYP.
V
p
= 2V TYP.
2N5907优点：
严密跟踪
良好的匹配
超低漏电
低漂移
最高温度
储存温度
‐65°C to +150°C
工作结温
+150°C
Maximum Voltage and Current for Each Transistor – Note 1
‐V
GSS
栅极电压漏极或源极
40V
‐V
DSO
漏源极电压
40V
‐I
G（ F）
门正向电流
10mA
‐I
G
门反向电流
10µA
最大功率耗散
Device Dissipation @ Free Air – Total 40mW @ +125°C
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED
SYMBOL
特征值单位条件
| V
GS1‐2
/ T | MAX 。
漂移VS.
10
μV/°C V
DG
=10V, I
D
=30µA
温度是多少？
T
A
=‐55°C to +125°C
| V
GS1‐2
|最大。
失调电压
5
mV
V
DG
=10V, I
D
=30µA
（典型值） *
60
‐‐
2
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
1
‐‐
0.1
0.01
90
90
‐‐
20
‐‐
‐‐
‐‐
马克斯。
‐‐
‐‐
4.5
4
1
1
2
5
‐‐
5
0.1
0.1
‐‐
‐‐
1
70
3
1.5
0.1
单位“
V
V
V
V
pA
nA
pA
nA
pA
μmho
条件“
V
DS
= 0 I
D
=1nA
I
= 1nA I
= 0 I
S
= 0
= 0V
V
DS
= 10V I
D
= 1nA
V
DS
=10V I
D
=30µA
V
DG
= 10V I
D
= 30µA
T
A
= +125°C
V
DS
=0V V
GS
= 20V
T
A
= +125°C
V
GG
= 20V
V
DG
= 10V V
GS
= 0V
V
DG
= 10V I
D
=30µA
∆V
DS
= 10 to 20V I
D
=30µA
∆V
DS
= 5 to 10V I
D
=30µA
V
DS
= 10V V
GS
= 0V R
G
= 10MΩ
f= 100Hz NBW= 6Hz
V
DG
=10V I
D
=30µA f=10Hz NBW=1Hz
V
DS
= 10V V
GS
= 0V f= 1MHz
V
DG
= 20V I
D
=30µA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
GSS
击穿电压
40
BV
GGO
栅栅击穿
40
Y
FSS
Y
fS
|Y
FS1‐2
/ Y
FS
I
DSS
|I
DSS1‐2
/ I
DSS
栅极电压
V
GS
（关闭）或V
p
夹断电压
0.6
V
GS
（上）
工作范围
‐‐
栅极电流
‐I
G
马克斯。
经营？
‐‐
‐I
G
马克斯。
高温
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
在全导通
‐‐
‐I
GSS
马克斯。
高温
‐‐
I
GGO
栅极到栅极漏
‐‐
输出电导
Y
OSS
全导
‐‐
Y
OS
经营？
‐‐
|Y
OS1‐2
|
微分
‐‐
共模抑制
CMR刀
‐20 log |∆V
GS1‐2
/∆V
DS
|
‐‐
CMR刀
‐20 log |∆V
GS1‐2
/∆V
DS
|
‐‐
NOISE
NF
身材
‐‐
e
n
电压是多少？
‐‐
Capacitance
C
国际空间站
输入 -
‐‐
C
RSS
反向传输
‐‐
C
DD
漏漏
‐‐
dB
dB
内华达州/ √Hz的
pF
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
TO- 78 （底视图）
Micross组件欧洲
可用的软件包：
2N5907的TO- 78
2N5907可用裸片
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