3N170
N沟道MOSFET
该3N170是一个增强型N沟道场效应管
该3N170是一个增强型N沟道场效应管
设计用作一个通用放大器或
开关
所述密封TO -72封装，非常适合
高可靠性和恶劣环境下的应用。
（见包装信息） 。
特点是什么？
DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 3N170
低漏源电阻
快速开关
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted)
r
DS （ ON） =
≤ 200Ω
t
D（上）
≤ 3.0ns
最高温度
储存温度
工作结温
3N170特点：
最大功率耗散
连续功率耗散
低导通电阻
最大电流
低电容
Drain to Source (Note 1)
高增益
最大电压不
高栅极击穿电压
漏极至栅极
低阈值电压
漏极至源极
Peak Gate to Source (Note 2)
3N170 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
（典型值） *
MAX`
单位“
BV
DSS
漏极至源极击穿电压
25
‐‐
‐‐
V
V
DS （ ON）
漏源“开”电压
‐‐
‐‐
2.0
V
GS （ TH）
门源阈值电压
1.0
‐‐
2.0
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
g
fs
r
DS （ ON）
‐65°C to +150°C
‐55°C to +135°C
300mW
30mA
±35V
25V
±35V
条件“
I
D
= 10µA, V
GS
= 0V
I
D
= 10mA, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V, I
D
= 10µA
C
RSS
C
国际空间站
C
db
漏人体电容
‐‐
‐‐
5.0
V
DB
= 10V, f = 1MHz
开关特性
SYMBOL
特点】
MAX`
单位“
条件“
t
D（上）
导通延迟时间
3
ns
V
DD
= 10V, I
D（上）
= 10mA, V
GS （上）
= 10V, V
GS （关闭）
= 0V, R
G
= 50Ω
t
r
开启上升时间
10
t
D（关闭）
关闭延迟时间
3
t
f
关闭下降时间
15
可用的软件包：
3N170的TO- 72
3N170裸片。
TO- 72 （底视图）
注1 - 绝对最大额定值的限制值，超过该3N170适用性可能受到损害。
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