3N190
P沟道MOSFET
该3N190是一款单芯片双增强型P沟道MOSFET
特点是什么？
DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 3N190
低栅极漏电流
I
GSS
≤ ± 10pA
低传输电容
C
RSS
≤ 1.0pF
1
所述密封TO -78封装，非常适合
绝对最大额定值
@ 25°C (unless otherwise noted)
高可靠性和恶劣环境下的应用。
最高温度
储存温度
‐65°C to +150°C
（见包装信息） 。
工作结温
‐55°C to +135°C
最大功率耗散
连续功率耗散（单面）
300mW
3N190特点：
连续功率耗散（单面）
525mW
最大电流
非常高的输入阻抗
漏极 - 源极
2
50mA
高栅极击穿电压
最大电压不
低电容
漏极至栅极或漏极至源极
2
‐30V
2,3
短暂的门源
±125V
栅栅电压
±80V
3N190 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
（典型值） *
MAX`
单位“
条件“
BV
DSS
漏极至源极击穿电压
‐40
‐‐
‐‐
I
D
= ‐10µA
BV
SDS
源极到漏极击穿电压
‐40
‐‐
‐‐
I
S
= ‐10µA, V
BD
= 0V
V
V
GS
门源电压
‐3.0
‐‐
‐6.5
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐500µA
V
GS （ TH）
门源阈值电压
‐2.0
‐‐
‐5.0
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐500µA
‐2.0
‐‐
‐5.0
V
DS
= V
GS
, I
D
= ‐10µA
I
GSSR
门反向漏电流
‐‐
‐‐
10
V
GS
= 40V
I
GSSF
I
DSS
I
SDS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
该3N190是一款双增强型P沟道
MOSFET和非常适合空间受限的应用
和那些需要严格的电气配套。
Y
os
C
国际空间站
输入电容
‐‐
‐‐
4.5
pF
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐5mA , f = 1MHz
C
RSS
反向传输电容
‐‐
‐‐
1.0
C
OSS
输出电容
‐‐
‐‐
3.0
MATCHING CHARACTERISTICS 3N190
SYMBOL
极限？
特点】
单位“
条件“
MIN †
MAX`
g
fs1
/g
fs2
正向跨导率
0.85
1.0
ns
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐500µA , f = kHz
V
GS1‐2
门源门限电压
‐‐
100
mV
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐500µA
5
迪FF erential
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐500µA, T
S
= ‐55°C to +25°C
∆V
GS1‐2
/∆T
门源门限电压
5
‐‐
100
μV/°C
差变化与温度
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐500µA, T
S
= +25°C to +125°C
开关特性
SYMBOL
特点】
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
开启上升时间
t
关闭
关闭时间
MIN †
‐‐
‐‐
‐‐
TYP †
‐‐
‐‐
‐‐
MAX`
15
30
50
单位“
ns
条件“
V
DD
= ‐15V, I
D（上）
= ‐5mA, R
G
= R
L
= 1.4KΩ
注1 - 绝对最大额定值的限制值，超过该3N190适用性可能受到损害。
Note 2 – Per Transistor
Note 3 – Approximately doubles for every 10
° Ç T中
A
设备原理图
Note 4 – Measured at end points,
T
A
和？吨
B
注5 - 脉冲： T = 300μS ，占空比≤ 3 ％
TO- 78 （底视图）
可用的软件包：
3N190的TO- 72
3N190裸片。
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
http://www.micross.com/distribution
请联系Micross全
包装及模具尺寸
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